[发明专利]制作与双重图案化技术兼容的转折布局绕线的方法有效
申请号: | 201310078397.1 | 申请日: | 2013-03-12 |
公开(公告)号: | CN103311102A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 袁磊;J·桂 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;G03F1/76 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制作 双重 图案 技术 兼容 转折 布局 方法 | ||
1.一种方法,包含下列步骤:
建立由包含一奇转折特征的多个特征构成的一整体目标图案,该奇转折特征有连接第一及第二直线部分的一跨接区,该跨接区在平行于该第一及该第二直线部分中的一直线部分的长轴的第一方向有第一尺寸,该第一尺寸大于该第一及该第二直线部分各自在横交于该第一方向的第二方向的第二尺寸;
将该整体目标图案分解成第一子目标图案与第二子目标图案,其中,该第一子目标图案包含该第一及该第二直线部分中之一直线部分与该跨接区的第一部分以及该第二子目标图案包含该第一及该第二直线部分中的另一直线部分与该跨接区的第二部分;
产生对应至该第一子目标图案的第一组掩膜数据;以及
产生对应至该第二子目标图案的第二组掩膜数据。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括提供该第一及该第二组掩膜数据给一掩膜制造商。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,该奇转折特征的跨越距离等于该整体目标图案的一间距大小。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,该跨接区的该第一部分的第一端与该第一子目标图案的所述特征中的最近者的一边缘隔开一段大于单一图案化技术的最小解析能力的距离。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,该跨接区的该第二部分的第二端与该第二子目标图案的所述特征中的最近者的一边缘隔开一段大于单一图案化技术的最小解析能力的距离。
6.根据权利要求1所述的方法,进一步包括测定该第一尺寸在以下位置的数值:该第一子目标图案中的特征的最小间隔等于或大于单一图案化技术的最小解析能力。
7.根据权利要求1所述的方法,进一步包括测定该第一及该第二子图案的所述转折部分的重迭距离在以下位置的数值:该第一子目标图案中的特征的最小间隔等于或大于单一图案化技术的最小解析能力。
8.一种方法,包含下列步骤:
建立由包含一奇转折特征的多个特征构成的一整体目标图案,该奇转折特征有连接第一及第二直线部分的一跨接区,该跨接区在平行于该第一及该第二直线部分中的一直线部分的长轴的第一方向有第一尺寸;
将该整体目标图案分解成第一子目标图案与第二子目标图案,其中,该第一子目标图案包含该第一及该第二直线部分中的一直线部分与该跨接区的第一部分以及该第二子目标图案包含该第一及该第二直线部分中的另一直线部分与该跨接区的第二部分;
测定该第一尺寸在以下位置的数值:该第一子目标图案中的特征的最小间隔等于或大于单一图案化技术的最小解析能力;
产生对应至该第一子目标图案的第一组掩膜数据;以及
产生对应至该第二子目标图案的第二组掩膜数据。
9.根据权利要求8所述的方法,进一步包括测定该第一及该第二子图案的所述转折部分的重迭距离在以下位置的数值:该第一子目标图案中的特征的最小间隔等于或大于单一图案化技术的最小解析能力。
10.一种方法,包含下列步骤:
建立由包含一奇转折特征的多个特征构成的一整体目标图案,该奇转折特征有连接第一及第二直线部分的一跨接区,该跨接区在平行于该第一及该第二直线部分中的一直线部分的长轴的第一方向有第一尺寸;
将该整体目标图案分解成第一子目标图案与第二子目标图案,其中,该第一子目标图案包含该第一及该第二直线部分中的一直线部分与该跨接区的第一部分以及该第二子目标图案包含该第一及该第二直线部分中的另一直线部分与该跨接区的第二部分;
测定该第一及该第二子图案的所述转折部分的重迭距离在以下位置的数值:该第一子目标图案中的特征的最小间隔等于或大于单一图案化技术的最小解析能力;
产生对应至该第一子目标图案的第一组掩膜数据;以及
产生对应至该第二子目标图案的第二组掩膜数据。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造