[发明专利]记录头线圈结构有效

专利信息
申请号: 201310078536.0 申请日: 2013-03-12
公开(公告)号: CN103383847A 公开(公告)日: 2013-11-06
发明(设计)人: E·R·麦洛克;C·瑞;J·薛;E·林维勒;J·M·沃夫 申请(专利权)人: 希捷科技有限公司
主分类号: G11B5/31 分类号: G11B5/31;G11B5/127
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张东梅
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 记录 线圈 结构
【权利要求书】:

1.一种设备,包括:

线圈装置,所述线圈装置相对于主磁极不对称且被配置成在主磁极的一侧生成的磁通量比在主磁极的另一侧生成的磁通量更多。

2.如权利要求1所述的设备,还包括附连至返回屏蔽的返回磁极,其中所述线圈装置被配置成增加返回屏蔽中的磁通密度。

3.如权利要求2所述的设备,其特征在于,所述线圈装置还包括:

定位在主磁极和返回磁极之间的第一线圈结构;以及

定位在主磁极的与第一线圈结构相反的一侧上的第二线圈结构。

4.如权利要求3所述的设备,其特征在于,第一线圈结构中的线圈匝数大于第二线圈结构中的线圈匝数。

5.如权利要求3所述的设备,其特征在于,第一线圈结构被配置成携带与第二线圈结构中携带的电流相比安培数较高的电流。

6.如权利要求3所述的设备,其特征在于,第一线圈结构包括绕后通孔缠绕的扁平线圈,所述后通孔连接主磁极和返回磁极。

7.如权利要求3所述的设备,其特征在于,第一线圈结构包括至少一个绕返回磁极缠绕的螺旋线圈。

8.如权利要求3所述的设备,其特征在于,所述线圈装置被配置成增加返回磁极中的磁通密度。

9.如权利要求3所述的设备,其特征在于,所述第一线圈结构包括与第一线圈结构中的另一个线圈平行的至少一个线圈。

10.如权利要求3所述的设备,其特征在于,所述线圈装置被配置成在返回屏蔽中生成磁通量,以改变接近主磁极的空气承载表面处的磁化角度。

11.一种用于记录头的设备,包括:

定位在写入磁极和返回磁极之间的第一线圈结构;以及

定位在写入磁极的与第一线圈结构相反的一侧上的第二线圈结构;

其中第一线圈结构中的线圈匝数大于第二线圈结构中的线圈匝数。

12.如权利要求11所述的设备,其特征在于,第一线圈结构被配置成携带与第二线圈结构中携带的电流相比安培数较高的电流。

13.如权利要求11所述的设备,其特征在于,第一线圈结构包括绕后通孔缠绕的扁平线圈,所述后通孔连接写入磁极和返回磁极。

14.如权利要求11所述的设备,其特征在于,第一线圈结构包括至少一个绕返回磁极缠绕的螺旋线圈。

15.如权利要求11所述的设备,其特征在于,所述第一线圈结构被配置成增加连接至返回磁极的后屏蔽中的磁通量。

16.一种设备,包括:

写入磁极;

返回磁极;以及

线圈结构,配置成在写入磁极周围的磁场密度中生成不平衡性。

17.如权利要求16所述的设备,其特征在于,所述线圈结构包括绕后通孔缠绕的扁平线圈,所述后通孔连接写入磁极和返回磁极。

18.如权利要求16所述的设备,其特征在于,所述线圈结构包括绕返回磁极缠绕的螺旋线圈。

19.如权利要求16所述的设备,其特征在于,所述线圈结构包括作为螺旋线圈的一部分的第一线圈层和作为扁平线圈的一部分的第二线圈层。

20.如权利要求19所述的设备,其特征在于,所述螺旋线圈绕写入磁极缠绕,并且所述扁平线圈绕后通孔缠绕,所述后通孔将写入磁极连接至返回磁极。

21.一种设备,包括:

写入磁极;

用于在写入磁极周围的磁场密度中生成不平衡性的装置。

22.如权利要求21所述的设备,还包括返回磁极,

其中用于生成不平衡性的装置还包括绕后通孔缠绕的扁平线圈,所述后通孔连接写入磁极和返回磁极。

23.如权利要求22所述的设备,其特征在于,用于生成不平衡性的装置还包括绕返回磁极缠绕的螺旋线圈。

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