[发明专利]一种非晶态碳化硅薄膜的制备方法及其薄膜晶体管

权利要求书

1.一种非晶态碳化硅薄膜的制备方法，其特征在于，以硅源、碳源作为反应源，氩气作为保护气体，在掺杂剂的作用下，在衬底上通过化学气相沉积技术得到；

所述的硅源选自三氯氢硅、四氯化硅、乙硅烷或硅烷；

所述的碳源选自甲烷；

所述的掺杂剂为n型掺杂剂或p型掺杂剂；

其中，掺杂剂和硅源流量混合比例为1%～20%，碳源和硅源流量混合比例为1:2～1:1。

2.根据权利要求1所述的非晶态碳化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述的化学气相沉积技术是指等离子体化学气相沉积技术，腔室压强为20～200Pa；射频功率为50～350W；衬底温度为室温至350℃。

3.根据权利要求1所述的非晶态碳化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积技术是指大气压化学气相沉积技术，腔室压强为常压；射频功率为50～350W；衬底温度为100～400℃。

4.一种非晶态碳化硅薄膜晶体管，包括由下至上依次叠置的衬底、栅绝缘层、沟道层、钝化层；

配置于所述衬底上、被栅绝缘层包覆的的栅电极；

配置于所述沟道层上、被钝化层包覆的源电极、漏电极；

分别向上延伸出钝化层的栅外延电极、源外延电极、漏外延电极；

其特征在于，所述的沟道层为利用权利要求1的方法制备的非晶态碳化硅薄膜，厚度为10～1000nm。

5.一种非晶态碳化硅薄膜晶体管，包括由下至上依次叠置的衬底、阻隔层、沟道层、栅绝缘层、钝化层；

配置于所述阻隔层上、被沟道层包覆的源电极、漏电极；

被栅绝缘层及钝化层共同包覆的栅电极；

分别向上延伸出钝化层的栅外延电极、源外延电极、漏外延电极；

其特征在于，所述的沟道层为利用权利要求1的方法制备的非晶态碳化硅薄膜，厚度为10～1000nm。

6.根据权利要求4或5所述的非晶态碳化硅薄膜晶体管，其特征在于，所述的衬底为硅片或玻璃。

7.根据权利要求5所述的非晶态碳化硅薄膜晶体管，其特征在于，所述的阻隔层的材料为二氧化硅或氮化硅，阻隔层的厚度为100～2000nm。

8.根据权利要求4或5所述的非晶态碳化硅薄膜晶体管，其特征在于，所述的栅绝缘层的材料为二氧化硅、氮化硅、有机聚合物或无机聚合物，栅绝缘层的厚度为200～5000nm。

9.根据权利要求4或5所述的非晶态碳化硅薄膜晶体管，其特征在于，所述的栅电极、源电极、漏电极的材料均选用金属或金属氧化物，所述的栅电极、源电极、漏电极的厚度均为50～500nm。

10.根据权利要求4或5所述的非晶态碳化硅薄膜晶体管，其特征在于，所述的钝化层的材料选自氧化铝、二氧化硅或氮化硅，钝化层的厚度为30～500nm。