[发明专利]一种横向高压功率半导体器件的结终端结构

权利要求书

1.一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构； 

所述直线结终端结构与横向高压功率半导体器件有源区结构相同，包括漏极N⁺接触区（1）、N型漂移区（2）、P型衬底（3）、栅极多晶硅（4）、栅氧化层（5）、P-well区（6）、源极N⁺接触区（7）、源极P⁺接触区（8）；P-well区（6）与N型漂移区（2）位于P型衬底（3）的上层，其中P-well区（6）位于中间，两边是N型漂移区（2），且P-well区（6）与N型漂移区（2）相连；N型漂移区（2）中远离P-well区（6）的两侧是漏极N⁺接触区（1），P-well区（6）的上层具有与金属化源极相连的源极N⁺接触区（7）和源极P⁺接触区（8），其中源极P⁺接触区（8）位于中间，源极N⁺接触区（7）位于源极P⁺接触区（8）两侧；源极N⁺接触区（7）与N型漂移区（2）之间的P-well区（6）表面是栅氧化层（5），栅氧化层（5）的表面是栅极多晶硅（4）； 

所述曲率结终端结构包括漏极N⁺接触区（1）、N型漂移区（2）、P型衬底（3）、栅极多晶硅（4）、栅氧化层（5）、P-well区（6）、源极P⁺接触区（8）；P-well区（6）表面是栅氧化层（5），栅氧化层（5）的表面是栅极多晶硅（4）；曲率结终端结构中的N⁺接触区（1）、N型漂移区（2）、栅极多晶硅（4）和栅氧化层（5）分别与直线结终端结构中的N⁺接触区（1）、N型漂移区（2）、栅极多晶硅（4）和栅氧化层（5）相连并形成环形结构；其中，曲率结终端结构中的环形N⁺接触区（1）包围环形N型漂移区（2），曲率结终端结构中的环形N型漂移区（2）包围环形栅极多晶硅（4）和环形栅氧化层（5）；与“直线结终端结构中的P-well区（6）与N型漂移区（2）相连”不同的是，曲率结终端结构中的P-well区（6）与N型漂移区（2）不相连且相互间距为L_P，L_P的具体取值范围在数微米至数十微米之间； 

所述直线结终端结构与曲率结终端结构的N型漂移区（2）表面具有由相间分布的P型掺杂条（10）和N型掺杂条（11）构成的横向超结结构，且横向超结结构的P型掺杂条（10）或N型掺杂条（11）的宽度为最小光刻精度W。 

2.根据权利要求1所述的横向高压功率半导体器件的结终端结构，其特征在于，直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分（9）由P型衬底（3）、离曲率终端结构最近的直线结终端超结结构中的P1掺杂条（91）、离直线结终端结构最近的曲率结终端超结结构中的N1掺杂条（92）和N型漂移区（2）构成， 

设：直线结终端结构的N型漂移区（2）长度为L，曲率结终端的N型漂移区（2）长度为（L-L_P），漂移区表面的所有横向超结结构宽度均为最小光刻精度W，漂移区（2）表面的P型掺杂条（10）浓度为N_P，漂移区（2）表面的N型掺杂条（11）浓度为N_N，且N_P=N_N； 直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分（9）中的P1掺杂条（91）和N1掺杂条（92）的浓度分别为N_P1和N_N1，根据电荷平衡原理，则有： 

N_N1=N_N=N_P                    （2）。