[发明专利]一种稳压节电装置无扰动切换机构

说明书

技术领域

本发明涉及一种稳压节电装置，具体的说是一种稳压节电装置无扰动切换机构。

背景技术

所谓无扰动切换技术，通常是采用无触点静态开关进行切换，由于切换时间极短，在大多数场合往往能做到基本无扰动。目前已有的自耦调压补偿式智能稳压节电装置，实现稳压的技术手段大多是通过控制可控硅的开断来实现的。

如图1所示，现有的补偿式稳压节电装置由补偿变压器T1、调压变压器T2，可控硅S1至S8构成。通过开通和关断可控硅S1至S8的不同组合,即控制调压电路中相应的可控硅导通，从而改变补偿变压器T1补偿的电压的方向与大小,最终实现输出电压稳定在所需的范围之内。

其不足之处是，本装置根据输入或输出电压的变化，需要不断切换可控硅，在切换瞬间，补偿变压器处于短暂开路状态。正是由于存在补偿变压器短暂开路状态，切换时会带来很大的冲击与噪声，因此常规的无触点开关切换技术用在稳压节电装置中很难做到真正的无扰动，严重时甚至会导致可控硅损坏。常用的应对方法往往是加大可控硅的容量及耐压等级，这一方面大大增加了成本，另一方面也限制了稳压节电装置的装机容量。

发明内容

本发明为了克服现有技术的不足，提供了一种稳压节电装置无扰动切换机构。

为了实现上述目的，本发明设计一种稳压节电装置无扰动切换机构，包括电源，以及与电源连接的补偿变压器，还包括一个串接在补偿变压器与电源之间的调压变压器，还包括一个并联在补偿变压器两端的负载，以及一个串接在补偿变压器上的双向可控硅机构，其特征在于：还包括一个电阻以及一个双向可控硅组成的串联电路，该串联电路并联在补偿变压器的次级线圈上。

所述双向可控硅机构由四组双向可控硅依次并联组成，每组双向可控硅由两个双向可控硅串联组成。

本发明同现有技术相比，解决了可控硅切换时产生的强大冲击，可以使切换时不产生明显噪声。这样不仅大大提高了系统的稳定性、延长了可控硅的使用寿命，而且也使得在采用相同容量和耐压等级的可控硅时可以大大增加智能稳压节电装置的容量。

附图说明

图1为现有技术的电路原理图。

图2为本发明的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步描述。

如图1所示，现有的补偿式稳压节电装置由补偿变压器T1、调压变压器T2，可控硅S1至S8构成。其工作原理为：通过开通和关断可控硅S1至S8的不同组合,即控制调压电路中相应的可控硅导通，从而改变补偿变压器T1补偿的电压的方向与大小,最终实现输出电压稳定在所需的范围之内。

其不足之处是，本装置根据输入或输出电压的变化，需要不断切换可控硅，在切换瞬间，补偿变压器处于短暂开路状态。正是由于存在补偿变压器短暂开路状态，切换时会带来很大的冲击与噪声，因此常规的无触点开关切换技术用在稳压节电装置中很难做到真正的无扰动，严重时甚至会导致可控硅损坏。常用的应对方法往往是加大可控硅的容量及耐压等级，这一方面大大增加了成本，另一方面也限制了稳压节电装置的装机容量。

如图2所示，本发明包括电源，以及与电源连接的补偿变压器T1，还包括一个串接在补偿变压器T1与电源之间的调压变压器T2，还包括一个并联在补偿变压器T1两端的负载Z，以及一个串接在补偿变压器T1上的双向可控硅机构，还包括一个电阻R1以及一个双向可控硅S9组成的串联电路，该串联电路并联在补偿变压器T1的次级线圈上。本实施例中，双向可控硅机构由四组双向可控硅依次并联组成，每组双向可控硅由两个双向可控硅串联组成。

其工作原理为：在补偿变压器T1的B1- B2侧并联双向可控硅S9与电阻R1组成的串联电路，利用控制电路及程序实现如下功能：在可控硅S1至S8不同组合切换前开通双向可控硅S9，此时补偿变压器T1的B1- B2侧就不会出现开路状态，在双向可控硅S9可靠开通后才关断双向可控硅S1至S8中对应的可控硅组合，然后开通下一组需要开通的可控硅组合，等下一组可控硅组合可靠开通后，再关断双向可控硅S9，这样就完成了一次可控硅的切换过程。该切换过程中，补偿变压器T1始终不会出现开路状态，因此不会产生明显的冲击电压和冲击电流，于是采用较小容量和较低耐压等级的可控硅即可实现有效的切换。以上工作过程中的每一次切换在20ms之内完成。