[发明专利]发光二极管及其芯片板上封装结构

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

一基板；

一半导体外延层，其位于该基板表面，该半导体外延层包括一第一半导体外延层、一活性中间层、以及一第二半导体外延层；

一反射层，其夹置于该半导体外延层及该基板之间；

一金属层，其夹置于该反射层及该基板之间；以及

一碳化物层，其夹置于该金属层及该基板之间；

其中，该活性中间层及该碳化物层间的距离为1至10微米。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，该活性中间层及该碳化物层间的距离为2微米。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其中，该金属层为钛、锆、钼或钨。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其中，该碳化物层为类金刚石、石墨烯或其组合。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其中，该类金刚石为一导电性的四面体结构，且该类金刚石的碳原子含量高于95％以上，及该类金刚石的25％以上碳原子具有一扭曲四面体键结结构。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其中，该金属层及该碳化物层为相互堆叠的多层结构。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其中，该第一半导体外延层夹置于该反射层及该活性中间层之间，该活性中间层夹置于该第一半导体外延层与该第二半导体外延层之间。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其中，该半导体外延层含有一掺杂物，该掺杂物为铟。

9.如权利要求1所述的发光二极管，其中，该基板包含一绝缘层以及一电路基板，该绝缘层的材质选自由类金刚石、氧化铝、陶瓷以及含金刚石的环氧树脂所组群组的至少一种。

10.如权利要求9所述的发光二极管，其中，该电路基板为一金属板、一陶瓷板或一硅基板。

11.如权利要求1所述的发光二极管，其中，包括一第二电极，该第二电极设置于该第二半导体外延层表面。

12.如权利要求1所述的发光二极管，其中，该第一半导体外延层、该反射层、该金属层及碳化物层为P型电性，而该第二半导体外延层及该第二电极为N型电性。

13.如权利要求1所述的发光二极管，其中，该碳化物层是用以提供该半导体外延层的超声波方式散热。

14.一种芯片板上封装结构，包括：

一电路载板，其包括至少一电性连接垫；

一半导体外延层，其位于该电路载板表面，该半导体外延层包括一第一半导体外延层、一活性中间层以及一第二半导体外延层；

一反射层，其夹置于该半导体外延层及该电路载板之间；

一金属层，其夹置于该反射层及该电路载板之间；以及

一碳化物层，其夹置于该金属层及该电路载板之间；

其中，该活性中间层及该碳化物层间的距离为1至10微米。

15.如权利要求14所述的芯片板上封装结构，其中，该活性中间层及该碳化物层间的距离为2微米。

16.如权利要求14所述的芯片板上封装结构，其中，该金属层为钛、锆、钼或钨。

17.如权利要求14所述的芯片板上封装结构，其中，该碳化物层为类金刚石、石墨烯或其组合。

18.如权利要求14所述的芯片板上封装结构，其中，该类金刚石为一导电性的四面体结构，且该类金刚石的碳原子含量高于95％以上，及该类金刚石的25％以上碳原子具有一扭曲四面体键结结构。

19.权利要求14所述的芯片板上封装结构，其中，该金属层及该碳化物层为相互堆叠的多层结构。

20.如权利要求14所述的芯片板上封装结构，其中，该第二半导体外延层夹置于该反射层及该活性中间层之间，该活性中间层夹置于该第一半导体外延层与该第二半导体外延层之间，且该第一半导体外延层部分未覆盖该活性中间层及该第二半导体外延层。

21.如权利要求14所述的芯片板上封装结构，其中，该半导体外延层含有一掺杂物，该掺杂物为铟。