[发明专利]集成高压直流发电系统无效

专利信息
申请号: 201310079421.3 申请日: 2013-01-31
公开(公告)号: CN103227536A 公开(公告)日: 2013-07-31
发明(设计)人: G·I·罗斯曼;J·F·吉拉斯;S·J·摩斯 申请(专利权)人: 哈米尔顿森德斯特兰德公司
主分类号: H02K11/00 分类号: H02K11/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 王岳;卢江
地址: 美国康*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 集成 高压 直流 发电 系统
【权利要求书】:

1.一种集成高压直流(HVDC)发电系统(EPGS),包括:

永磁发电机(PMG),包括PMG定子和PMG转子,其中该PMG设置在PMG外壳中;

电枢绕组,可操作地连接到该PMG和用于转换来自电枢绕组的高压AC的第一整流器,其中该电枢绕组与第一升压电感器通信,其中该电枢绕组、该第一整流器和该第一升压电感器各自设置在该PMG外壳中;以及

其中该电枢绕组可操作地连接到用于转换来自电枢绕组的高压AC的第二整流器,其中该电枢绕组与第二升压电感器通信,其中该电枢绕组、该第二整流器和该第二升压电感器各自设置在该PMG外壳中。

2.如权利要求1所述的集成HVDC EPGS,进一步包括连接到该电枢绕组的中性点的公共节点。

3.如权利要求2所述的集成HVDC EPGS,其中整流器控制器被配置成测量该公共节点处的电压以检测该PMG转子的位置。

4.如权利要求1所述的集成HVDC EPGS,其中该第一升压电感器和该第二升压电感器中的至少一个是三相电感器。

5.如权利要求1所述的集成HVDC EPGS,其中该第一整流器和该第二整流器通过使载波信号彼此相移半个开关周期而形成交织双向的有源整流器。

6.如权利要求5所述的集成HVDC EPGS,其中该第一整流器和该第二整流器中的每个包括多个碳化硅(SiC)MOSFET。

7.如权利要求1所述的集成HVDC EPGS,进一步包括设置在PMG外壳外部的位置处的电力管理和分配(PMAD)系统。

8.如权利要求7所述的集成HVDC EPGS,进一步包括将由集成HVDCEPGS供电的至少一个负载,其中该PMAD系统选择性地分配电力给所述至少一个负载。

9.如权利要求7所述的集成HVDC EPGS,其中PMAD系统可操作地与整流器控制器连接,该整流器控制器设置在该PMG外壳外部的位置处。

10.一种产生高压直流(HVDC)电力的方法,包括:

电枢绕组,其中该电枢绕组可操作地连接到第一整流器和第二整流器,其中该PMG、该电枢绕组、该第一整流器和该第二整流器设置在PMG外壳中;

延伸该电枢绕组以形成第一升压电感器,其中该第一升压电感器设置在该PMG外壳中;

延伸该电枢绕组以形成第二升压电感器,其中该第二升压电感器设置在该PMG外壳中;以及

用整流器控制器来控制该第一整流器和该第二整流器。

11.如权利要求10所述的方法,其中该电枢绕组的中性点共享公共节点。

12.如权利要求11所述的方法,进一步包括测量公共节点处的电压以检测该PMG转子的位置。

13.如权利要求10所述的方法,其中该第一升压电感器和该第二升压电感器中的至少一个是三相电感器。

14.如权利要求10所述的方法,其中该第一整流器和该第二整流器通过使载波信号彼此相移半个开关周期而形成交织双向的有源整流器。

15.如权利要求14所述的方法,其中该第一整流器和该第二整流器中的每个包括多个碳化硅(SiC)MOSFET。

16.如权利要求10所述的方法,进一步包括用电力管理和分配(PMAD)系统选择性地分配电力给将由集成HVDC EPGS供电的至少一个负载。

17.如权利要求16所述的方法,其中该PMAD系统设置在该PMG外壳外部的位置处。

18.如权利要求16所述的方法,其中该PMAD系统可操作地与该整流器控制器连接,该整流器控制器设置在该PMG外壳外部的位置处。

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