[发明专利]一种SiC纳米线装饰层状多孔陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种SiC纳米线装饰层状多孔陶瓷的制备方法，其特征在于包括步骤如下：

（1）将高分子前驱体有机硅树脂溶解于二甲苯溶液中并超声振荡至均匀混合；

（2）将上述混合均匀的有机硅树脂溶液浸渍入滤纸中，并在80-120℃下固化；

（3）将固化的滤纸压制成试样；

（4）将压制成型的试样在Ar气氛中高温烧结：烧结起始温度为50℃，以5℃/min的速度升至150℃，保温15min后；以2℃/min的速度升温至400℃保温30min；再以5℃/min 的速度升温至1200℃-1400℃保温后冷却至室温。

2.如权利要求1所述的一种SiC纳米线装饰层状多孔陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤（2）中所述的有机硅树脂与滤纸的质量比为2：1，固化时间为10-20小时。

3.如权利要求1所述的一种SiC纳米线装饰层状多孔陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤（3）中所述压制试样的方法为：在80-110℃，40MPa下预压5min后保压15min。

4.如权利要求1所述的一种SiC纳米线装饰层状多孔陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤（4）中所述升温至1200-1400℃后的保温时间为3-5h，整个烧结过程中的Ar气流量为0.1-0.5L/min。