[发明专利]用于在CMOS图像传感器中玻璃去除的方法和装置

权利要求书

1.一种用于形成图像传感器件的方法，包括：

在器件晶圆上形成多个像素阵列；

将衬底接合至所述器件晶圆；

减薄所述器件晶圆；

在将所述衬底接合至所述器件晶圆之后，在所述器件晶圆上形成电连接件；

使所述衬底与所述器件晶圆分离，从而使光线直接入射至所述图像传感器件的微透镜材料；以及

然后，从所述器件晶圆分割出所述多个像素阵列中的各个像素阵列。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，分割包括锯切、激光、划线、按压、蚀刻和它们的组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括玻璃。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述器件晶圆包括前照式(FSI)CMOS图像传感器(CIS)。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过热释放接合材料将所述衬底接合至所述器件晶圆。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述器件晶圆上形成所述电连接件还包括减薄所述器件晶圆以暴露所述器件晶圆中的导电通孔。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述器件晶圆上形成所述电连接件包括在所述器件晶圆上形成导电再分布层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述器件晶圆上形成所述电连接件包括在所述器件晶圆上形成与所述导电再分布层连接的焊球。

9.一种用于形成图像传感器件的方法，包括：

在器件晶圆上形成多个像素阵列；

将载具晶圆接合至所述器件晶圆的第一面；

在所述器件晶圆的第二面的上方接合衬底；

减薄所述载具晶圆；

形成与所述器件晶圆的所述第一面连接的电连接件；

随后使所述衬底与所述器件晶圆的所述第二面分离，从而使光线直接入射至所述图像传感器件的微透镜材料；以及

随后从所述器件晶圆分割出所述多个像素阵列中的各个像素阵列。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，分离所述衬底包括对接合材料施加热量。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，分离所述衬底包括对接合材料施加UV光。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，分离所述衬底包括对接合材料施加化学脱模剂。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，形成与所述器件晶圆连接的电连接件还包括蚀刻穿过所述载具晶圆、延伸至所述载具晶圆上方的金属化层的通孔。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述电连接件还包括在所述通孔中沉积导电再分布层材料。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述电连接件还包括形成与所述导电再分布层材料连接的外部连接件。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述电连接件还包括形成选自由焊球、焊料凸块、导电柱状物、导电圆柱、基于铅的焊料、无铅焊料、柱形凸块和接合引线所组成的组的外部连接件。

17.根据权利要求9所述的方法，其中，所述多个像素阵列包括背照式(BSI)器件。

18.一种图像传感器装置，包括：

器件晶圆，包括被布置成像素阵列的光电二极管；

滤色器阵列材料，形成在所述光电二极管的上方和所述器件晶圆的第一表面上方；

微透镜材料，形成在所述滤色器阵列材料上方；以及

外部连接件，形成在所述器件晶圆的第二表面上方；

其中，在将所述器件晶圆分割为所述像素阵列中的各个像素阵列之前，分离与所述器件晶圆接合的衬底，暴露所述微透镜材料。

19.根据权利要求18所述的装置，其中，所述器件晶圆还包括背照式图像传感器。

20.根据权利要求18所述的装置，其中，所述器件晶圆还包括前照式图像传感器。