[发明专利]一种基于多相位倒相横向平衡式结构的声表面波滤波器

说明书

技术领域

本发明涉及一种基于多相位倒相横向平衡式结构的声表面波滤波器，属于声表面波滤波技术领域。

背景技术

在现有的SPUDT(Single Phase Unidirectional Transducer，单相单向换能器)技术中，已经有通过移相网络控制现实单向单相低插损的技术，但仅限于单端口系统，无法实现单向单相的双端口技术。

发明内容

本发明为解决现有的声表面波滤波技术存在的无法实现单向单相的双端口的问题，进而提供了一种基于多相位倒相横向平衡式结构的声表面波滤波器。为此，本发明提供了如下的技术方案：

一种基于多相位倒相横向平衡式结构的声表面波滤波器，包括基片、输入换能器和输出换能器，所述基片上设有相互耦合的输入换能器和输出换能器，所述输入换能器和输出换能器为上下对称结构设置，所述输入换能器和输出换能器的下通道均比上通道向声传输方向移动半个波长的距离，所述输入换能器和输出换能器的上通道和下通道的四组耦合电极反对称连接，并且每个耦合电极均通过一个移相器控制。

本发明提供了一种单向单相的双端口技术，不仅可以设计为平衡式滤波器，而且解决了单端口的移相单向单相技术的不可加权带外不够深的问题，通过对称设计消除了共模干扰，达到了提高带外抑制的目的。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明的具体实施方式提供的基于多相位倒相横向平衡式结构的声表面波滤波器的结构示意图；

图2是本发明的具体实施方式提供的上通道或下通道中的耦合电极的设置示意图；

图3是本发明的具体实施方式提供的单个移相器控制耦合电极的原理示意图；

图4是本发明的具体实施方式提供的输入换能器和输出换能器连接的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本具体实施方式提供了一种基于多相位倒相横向平衡式结构的声表面波滤波器，如图1所示，包括基片1、输入换能器2和输出换能器3，基片1上设有相互耦合的输入换能器2和输出换能器3，输入换能器2和输出换能器3为上下对称结构设置，输入换能器2和输出换能器3的下通道均比上通道向声传输方向移动半个波长的距离，输入换能器2和输出换能器3的上通道和下通道的四组耦合电极4反对称连接，并且每个耦合电极4均通过一个移相器5控制。

优选的，上通道和下通道中的叉指电极均为1/12波长结构，移相器5对相位的移动角度为45度，基片1可采用112°钽酸锂基片。

具体的，本具体实施方式提供的基于多相位倒相横向平衡式结构的声表面波滤波器的基本原理为通过悬浮电极的被动倒相实现电极内部的单向单相传输，制作上采用现代微电子技术平面工艺，在实际生产中，通过正胶剥离工艺的方法，能够保证所有1/12波长线条宽度的精准度，最终实现了合格产品。

其中，上通道或下通道中的耦合电极的设置如图2所示，上通道的移相器5连接上通道的耦合电极4，下通道的移相器5连接下通道的耦合电极4，且上通道的耦合电极4与下通道的耦合电极4之间有半个波长的距离，图2中的C表示一个波长的距离，D表示50个波长(声孔径)的距离。

如图3和图4所示，输入IDT发射声表面波(SAW)，并被输出换能器接受，通过这样的声电电声的转换过程实现电信号的过滤功能。两个输入输出形成平衡式结构，消除共模干扰，提高带外抑制。本具体实施方式根据上述技术方案提供了一种多相位倒相横向结构声表面波滤波器声表滤波器，分为输入输出IDT，采用均匀指技术，有效提高器件的带外抑制。

采用本具体实施方式提供的技术方案，提供了一种单向单相的双端口技术，不仅可以设计为平衡式滤波器，而且解决了单端口的移相单向单相技术的不可加权带外不够深的问题，通过对称设计消除了共模干扰，达到了提高带外抑制的目的。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明实施例揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。