[发明专利]磁传感器制造

权利要求书

1.一种制造传感器叠层的方法，包括：

使用原位快速热退火对所述传感器叠层的至少两个层进行退火。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用原位快速热退火对传感器叠层的至少两个层进行退火的步骤包括使用原位快速热退火对籽晶层进行退火。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用原位快速热退火对传感器叠层的至少两个层进行退火的步骤包括使用原位快速热退火对MgO势垒层进行退火。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用原位快速热退火对传感器叠层的至少两个层进行退火的步骤包括使用原位快速热退火对MgO势垒层进行退火，所述MgO势垒层被沉积在两个Mg层之间。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用原位快速热退火对传感器叠层的至少两个层进行退火的步骤包括使用原位快速热退火对金属性间隔层进行退火。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括对MgO势垒层进行低温冷却。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用原位快速热退火对传感器叠层的至少两个层进行退火的步骤包括使用原位快速热退火对AFM层进行退火。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述AFM层是IrMn层。

9.一种制造传感器叠层的方法，包括：

对表面进行蚀刻；

将籽晶层沉积在所述表面上；以及

使用原位热退火对所述籽晶层进行退火。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：

将AFM层沉积在所述经退火的籽晶层之上；以及

使用原位热退火对所述AFM层进行退火。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：

将SAF层沉积在所述经退火的AFM层之上；

沉积自由层；以及

将覆盖层沉积在所述自由层之上。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括使用原位热退火对所述覆盖层进行退火。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括：

将MgO势垒层沉积在所述SAF层之上；以及

使用原位热退火对所述MgO势垒层进行退火。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述沉积MgO势垒层的步骤进一步包括：

将Mg层沉积在所述SAF层之上；

将MgO势垒层沉积在所述Mg层之上；以及

将Mg层沉积在所述MgO势垒层之上。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括：

将金属性间隔层沉积在所述SAF层之上；

使用原位热退火对所述金属性间隔层进行退火；以及

低温冷却所述经退火的金属性间隔层。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述沉积金属性间隔层的步骤还包括在200-400℃范围内的温度下沉积所述金属性间隔层。

17.如权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括使用具有大的热质量的热连接散热器快速冷却所述经退火的籽晶层。

18.一种读头，包括：

第一屏蔽层；

第二屏蔽层；以及

位于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间的传感器叠层，所述传感器叠层具有多个层，其中至少一个层使用原位快速热退火被退火。

19.如权利要求18所述的读头，其特征在于，所述使用原位快速热退火被退火的至少一个层是籽晶层。

20.如权利要求19所述的读头，其特征在于，所述传感器叠层还包括：

使用原位快速热退火被退火的势垒层；以及

使用原位快速热退火被退火的覆盖层。

21.一种通过工艺制备的传感器叠层，所述工艺包括：

对表面进行蚀刻；

将籽晶层沉积在所述表面上；以及

使用原位快速热退火对所述籽晶层进行退火。

22.如权利要求21所述的传感器叠层，其特征在于，所述工艺还包括：

将AFM层沉积在所述经退火的籽晶层上；

使用原位热退火对所述AFM层进行退火；

将SAF层沉积在所述经退火的AFM层上；

将自由层沉积在所述经退火的AFM层上；

将覆盖层沉积在所述自由层上；以及

使用原位热退火对所述覆盖层进行退火。