[发明专利]自对准双构图方法

权利要求书

1.一种自对准双构图方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀层，在所述待刻蚀层上形成具有沟槽的第一材料层，所述沟槽的开口大，底部小，且所述沟槽的底部暴露所述待刻蚀层；

在所述沟槽内填入第二材料层；

去除所述第一材料层，保留填入的所述第二材料层，所述第二材料层的顶部尺寸大于底部尺寸；

对所述第二材料层进行修正，所述修正对所述第二材料层的顶部去除量大于对所述第二材料层的底部去除量；

在所述第二材料层上形成厚度一致的第三材料层；

回蚀所述第三材料层形成侧墙；

去除所述第二材料层，保留其周围的侧墙；

以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层形成双构图的图案。

2.根据权利要求1所述的自对准双构图方法，其特征在于，对所述第二材料层进行修正步骤中，使得所述第二材料层的侧壁竖直。

3.根据权利要求1所述的自对准双构图方法，其特征在于，所述第一材料层的材质为无定形碳，其内的沟槽通过光刻、刻蚀法形成。

4.根据权利要求1所述的自对准双构图方法，其特征在于，所述第二材料层为含硅抗反射层。

5.根据权利要求1或2或4所述的自对准双构图方法，其特征在于，所述第二材料层的修正采用干法刻蚀。

6.根据权利要求4所述的自对准双构图方法，其特征在于，所述第二材料层的修正采用的刻蚀气体及流量为：CF₄：0-200sccm，HBr：0-200sccm，Cl₂：0-200sccm，O₂：0-200sccm，He：0-200sccm，Ar：0-200sccm，压强为：3mTorr-200mTorr，功率为：100W-1000W。

7.根据权利要求1所述的自对准双构图方法，其特征在于，所述待刻蚀层为多晶硅、金属或二氧化硅。

8.根据权利要求7所述的自对准双构图方法，其特征在于，所述待刻蚀层还包括硬掩膜层，所述硬掩膜层的材质为氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅、氮化钛、氮化铝、氮化铜或上述至少两种材料的组合。

9.根据权利要求1所述的自对准双构图方法，其特征在于，所述第三材料层的材质为氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅或上述至少两种材料的组合。

10.根据权利要求1所述的自对准双构图方法，其特征在于，所述第三材料层通过原子层沉积法形成。

11.根据权利要求1所述的自对准双构图方法，其特征在于，去除所述第一材料层前，还对所述第二材料层进行回蚀。

12.根据权利要求4所述的自对准双构图方法，其特征在于，所述第二材料层采用显影液去除。