[发明专利]横向电场型液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201310081142.0 申请日: 2013-03-14
公开(公告)号: CN103309102B 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 西田真一;田口尚之;渡边贵彦 申请(专利权)人: NLT科技股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 王波波
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 横向 电场 液晶 显示装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及液晶显示装置,并且更具体地,涉及具有高的孔径比的横向电场型的有源矩阵型液晶显示装置。

背景技术

广泛地使用的扭转向列(TN)型的液晶显示装置具有高对比度,但是另一方面存在高视角依赖性的问题,因为液晶的分子轴由于垂直电场而升高。因为近年来对大尺寸的TV监视器等的需求不断增加,所谓的横向电场型液晶面板(例如IPS(面内开关)型或FFS型)不断扩散,在这种面板中将与设置薄膜晶体管(下文中称为TFT)的基板实质上平行的电场施加至液晶分子以驱动该分子。例如,IPS型的横向电场型液晶显示器面板在基板上具有实质上平行于数据线或扫描线的多个像素电极,以及与所述像素电极成对的公共电极。通过在像素电极和公共电极之间形成与基板实质上平行的电场,液晶分子在平行于基板的平面内转动,由此控制显示。通过以此方式驱动液晶分子,消除了相对于分子轴的上升角度的视角依赖性。相比TN型,视角特性更加有利。

尽管IPS型具有比如上述的TN型更有利的视角特性,但是其存在下面的问题。因为像素电极和公共电极以梳形形状设置并且施加横向电场,因此显示区域内电极区域的比值高,并因此难以获得高的孔径比。为了解决这个问题,在专利文献1中公开一种技术作为用于增加孔径比的手段。图16示出在专利文献1中公开的像素结构。在图16中示出的传统像素中,像素电极和公共电极以梳齿状形状在数据线的显示方向上延伸,形成耦接像素电极的第二部分,并且公共信号线与第二部分重叠以通过该部分形成存储电容,由此获得高的孔径比。

另一种增加孔径比的方法是减小黑底(black matrix)。例如,在专利文献2中公开的发明中,沿信号线设置的光遮蔽电极设置在信号线之下,并且信号线和光遮蔽电极之间的区域用黑底覆盖。对孔径比施加直接影响的黑底的宽度依赖于光遮蔽电极和信号线之间的间隔。因此,光遮蔽电极和信号线之间的间隔不能设置成预定间隔或更小,以防止不想要的电容的产生。存在问题,使得黑底的宽度不容易减小。

专利文献1:日本未审专利申请出版物第2011-150021

专利文献2:日本未审专利申请出版物第2009-103925

发明内容

考虑了上面的情况实现了本发明,并且本发明的目的在于提供一种液晶面板,其中沿数据线设置的黑底的宽度容易减小。

为了解决问题,本发明提供一种横向电场(lateral electric field)型液晶显示装置,其通过横向电场旋转水平排列的液晶来执行显示,在像素电极和公共电极上施加所述横向电场并且所述横向电场与基板实质上平行,所述液晶显示装置包括:第一基板,具有平行设置的多个数据线和与数据线实质上垂直并且彼此平行地设置的多个扫描线,并且具有与相应的子像素相对应的薄膜晶体管,所述子像素排列在由数据线和扫描线围绕的矩阵内并设置在数据线和扫描线之间的交叉点附近;第二基板,经由液晶层与第一基板相对;电位供应线,在子像素区域内沿数据线延伸并连接至薄膜晶体管的源电极;以及像素电极,设置在子像素区域内电位供应线之上的层中并且连接至电位供应线;由透明导电层形成的公共电极,具有公共电极第一部分和公共电极第二部分,公共电极第一部分形成为与扫描线实质上平行的线性图案并且与像素电极间隔开预定的距离,公共电极第二部分形成为接续至第一部分以覆盖数据线以及数据线和电位供应线之间的分离区域;以及黑底,形成在第二基板上并且设置为覆盖所述分离区域。

在上述的配置中,在像素电极和公共电极的第一部分之间产生驱动液晶的电场。例如,像素电极可以具有多个电极,所述多个电极设置成与公共电极的第一部分成对并间隔开相同的距离以产生与基板平行的电场,或可以设置成在平面内延伸以在公共电极的第一部分和像素电极之间产生边缘电场。

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