[发明专利]一种角度无偏一维光子晶体及其制备方法无效
申请号: | 201310081370.8 | 申请日: | 2013-03-14 |
公开(公告)号: | CN103127887A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 顾忠泽;刘慈慧;赵远锦;顾洪成 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | B01J13/02 | 分类号: | B01J13/02 |
代理公司: | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人: | 刘述生 |
地址: | 215123 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 角度 无偏一维 光子 晶体 及其 制备 方法 | ||
1.一种角度无偏一维光子晶体,其特征在于,包括平面模板和一维光子晶体,所述平面模板含有凸出球面或凹陷球面,所述一维光子晶体由不同折射率的介质材料层状有序堆叠而成,所述一维光子晶体交替组装在平面模板表面上。
2.根据权利要求1所述的角度无偏一维光子晶体,其特征在于,所述不同折射率的介质选择自金属氧化物、无机盐、聚电解质、嵌段聚合物、共聚物、液晶材料、介孔纳米粒子中的一种或多种的组合。
3.根据权利要求1所述的角度无偏一维光子晶体,其特征在于,所述平面模板选自金属氧化物、无机盐、聚电解质、嵌段聚合物、共聚物、液晶材料、介孔纳米粒子、金、银材料中的一种。
4.根据权利要求1所述的角度无偏一维光子晶体,其特征在于,所述平面模板厚度为1 mm至200 mm。
5.根据权利要求书1所述的角度无偏一维光子晶体,其特征在于,所述一维光子晶体的单层的厚度为10 nm至200 nm,所述一维光子晶体的光子禁带为200nm-2000nm。
6.一种制备权利要求1-5任一所述的角度无偏一维光子晶体的方法,其特征在于,包括以下步骤:
首先,含凸出球面或凹陷球面平面模板的选择步骤:
选择厚度在1 mm至200 mm之间的含凸出球面或凹陷球面的平面模板作为制备角度无偏一维光子晶体的基底材料;
其次,不同折射率介质溶液的配制步骤:
选择具有不同折射率两种介质,制备成尺寸10 nm至200 nm范围内的介质材料的溶液或者溶胶,其浓度在1 % - 99 %之间;
再次,一维光子晶体结构的制备步骤:
将挑选出的含凸出球面或凹陷球面的平面模板依次交替浸入具有两种不同折射率的介质配制成的溶液或者溶胶中,反复包覆多次,从而在凸出球面或凹陷球面平面模板表面形成折射率周期性变化的层层堆叠结构,其中每一层介质的厚度在10 nm至200 nm之间,层数在1层至200层之间;
第四,角度无偏一维光子晶体的干燥步骤:
将制备得到的层层堆叠的折射率周期性变化的结构在N2保护的烘箱中适当温度下烘干,得到具有角度无偏性质的一维光子晶体。
7.根据权利要求书6所述的方法,其特征在于,所述一维光子晶体制备过程中,一维光子晶体的层状堆叠过程需要经过一个干燥和固化的过程。
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