[发明专利]基于复合软模板纳米压印技术制备图案化蓝宝石衬底的方法无效

专利信息
申请号: 201310081541.7 申请日: 2013-03-15
公开(公告)号: CN103117339A 公开(公告)日: 2013-05-22
发明(设计)人: 卢明辉;林亮;葛海雄;余思远;袁长胜;陈延峰 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 李媛媛
地址: 210093 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 复合 模板 纳米 压印 技术 制备 图案 蓝宝石 衬底 方法
【权利要求书】:

1.基于复合软模板纳米压印技术制备图案化蓝宝石衬底的方法,其特征在于:包括如下步骤:

(1)在蓝宝石衬底上沉积一层湿法腐蚀掩膜层,厚度在50nm~200nm;

(2)在湿法腐蚀掩膜层上旋涂一层紫外光固化胶,然后将图案化的软模板贴合紫外光固化胶,并置于N2气氛下曝光10分钟使胶固化,将软模板的图案转移到紫外光固化胶上,脱去软模板,得到固化的胶层;

(3)刻蚀胶层暴露出湿法腐蚀掩膜层,并继续刻蚀掩膜层至暴露出蓝宝石衬底;

(4)将步骤(3)得到的结构放在硫酸和磷酸的混合溶液中,在250℃~300℃下湿法腐蚀15分钟~30分钟,取出蓝宝石衬底,用氢氟酸去除掩膜层,并用丙酮、乙醇和去离子水分别清洗后得到图案化的蓝宝石衬底。

2. 根据权利要求1所述的基于复合软模板纳米压印技术制备图案化蓝宝石衬底的方法,其特征在于:蓝宝石衬底上制备的图案为正方结构的圆孔阵列,圆孔的直径为0.2~2μm,周期为 0.5~5μm,深度为 0.2~2μm。

3. 根据权利要求1所述的基于复合软模板纳米压印技术制备图案化蓝宝石衬底的方法,其特征在于:所述步骤(1)中的湿法腐蚀掩膜层为二氧化硅材料。

4. 根据权利要求3所述的基于复合软模板纳米压印技术制备图案化蓝宝石衬底的方法,其特征在于:所述步骤(1)中的沉积采用等离子体增强化学气相沉积的方法生长膜层。

5. 根据权利要求1所述的基于复合软模板纳米压印技术制备图案化蓝宝石衬底的方法,其特征在于:所述步骤(2)中,软模板的弹性支承层为聚二甲基硅氧烷,其压印结构层为超薄的高度交联紫外光固化材料。

6. 根据权利要求1所述的基于复合软模板纳米压印技术制备图案化蓝宝石衬底的方法,其特征在于:所述步骤(3)中的刻蚀采用电感耦合等离子体干法刻蚀的方法,其中胶层的刻蚀取用O2气体,掩膜层的刻蚀采用CHF3和CHF4气体。

7. 根据权利要求1所述的基于复合软模板纳米压印技术制备图案化蓝宝石衬底的方法,其特征在于:所述步骤(4)中的硫酸和磷酸的体积比为2:1~5:1,腐蚀速率为30~40nm/min。

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