[发明专利]一种形成硅化物阻挡层的方法有效
| 申请号： | 201310081989.9 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103199015A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 宣国芳;罗飞 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 形成 硅化物 阻挡 方法 | ||
1.一种形成硅化物阻挡层的方法，应用于一硅衬底上，所述硅衬底的上表面还设置有栅极结构，其特征在于，包括如下步骤：
进行离子注入工艺，于所述硅衬底中形成有源区；
制备二氧化硅薄膜覆盖所述栅极结构及所述硅衬底暴露的上表面；
制备第一氮化硅薄膜覆盖于所述二氧化硅薄膜的上表面；
继续高温热退火工艺。
2.如权利要求1所述的形成硅化物阻挡层的方法，其特征在于，还包括：
于所述高温热退火工艺后，制备第二氮化硅膜覆盖于所述第一氮化硅薄膜的上表面；
采用光刻工艺对所述氮化硅膜进行选择性的暴露；
回蚀所述第二氮化硅膜和所述第一氮化硅薄膜至所述二氧化硅薄膜的上表面；
回蚀所述二氧化硅薄膜至所述栅极结构顶部表面和所述硅衬底的上表面；
制备金属硅化物覆盖暴露的所述硅衬底和暴露的所述栅极表面；
其中，所述第二氮化硅膜的厚度大于所述第一氮化硅薄膜的厚度。
3.如权利要求2所述的形成硅化物阻挡层的方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺回蚀所述第一氮化硅薄膜。
4.如权利要求2所述的形成硅化物阻挡层的方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺回蚀所述第二氮化硅膜。
5.如权利要求2所述的形成硅化物阻挡层的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺回蚀所述二氧化硅薄膜。
6.如权利要求1所述的形成硅化物阻挡层的方法，其特征在于，采用溶胶凝胶工艺制备所述二氧化硅薄膜。
7.如权利要求6所述的形成硅化物阻挡层的方法，其特征在于，所述溶胶凝胶工艺的原料为正硅酸乙酯。
8.如权利要求1所述的形成硅化物阻挡层的方法，其特征在于，所述二氧化硅薄膜的厚度为
9.如权利要求1所述的形成硅化物阻挡层的方法，其特征在于，所述第二氮化硅膜的厚度为
10.如权利要求1所述的形成硅化物阻挡层的方法，其特征在于，所述第一氮化硅 薄膜的厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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