[发明专利]一种提湿法刻蚀承托装置和方法无效
申请号: | 201310082044.9 | 申请日: | 2013-03-14 |
公开(公告)号: | CN103219273A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 佟金刚;李阳柏;张传民;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/306 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 承托 装置 方法 | ||
1.一种湿法刻蚀承托装置,设置于晶圆的湿法刻蚀工艺中的升降装置上,其特征在于,包括晶圆滚动装置、传动装置和驱动装置;
所述晶圆放置于所述晶圆滚动装置上,所述驱动装置通过所述传动装置驱动所述晶圆滚动装置带动所述晶圆转动;
其中,所述晶圆滚动装置包括至少两根滚动杆,每根所述滚动杆上均设置有多个导向结构,所述晶圆可转动地置于所述导向结构中。
2.如权利要求1所述的湿法刻蚀承托装置,其特征在于,所述驱动装置为马达。
3.如权利要求2所述的湿法刻蚀承托装置,其特征在于,所述滚动杆包括第一滚动杆、第二滚动杆和第三滚动杆;
其中,所述晶圆通过所述第一滚动杆、所述第二滚动杆和所述第三滚动杆可滚动的固定在所述晶圆滚动装置上,且所述第一滚动杆和/或所述第二滚动杆和/或所述第三滚动杆驱动所述晶圆绕进行自转。
4.如权利要求3所述的湿法刻蚀承托装置,其特征在于,所述传动装置为传动带;
所述马达通过所述传动带驱动所述第一滚动杆和/或所述第二滚动杆和/或所述第三滚动杆转动。
5.如权利要求1所述的湿法刻蚀承托装置,其特征在于,所述承托装置还包括固定结构;
所述晶圆滚动装置通过所述固定结构固定设置在所述升降装置上。
6.如权利要求1所述的湿法刻蚀承托装置,其特征在于,所述导向结构包括多个环状固定块,所述环状固定块套设于所述滚动杆上,且相邻的两个所述环状固定块之间形成导向槽,所述晶圆可转动的插设在所述导向槽中。
7.如权利要求6所述的湿法刻蚀承托装置,其特征在于,所述导向槽底部的宽度小于所述晶圆的厚度,所述导向槽开口端部的宽度大于所述晶圆的厚度。
8.如权利要求1所述的提升晶圆均匀度的湿法刻蚀承托装置,其特征在于,所述承托装置各部件的材质均为抗酸碱腐蚀的材料。
9.一种提升晶圆均匀度的湿法刻蚀方法,其特征在于,所述方法应用于采用如权力要求1-8中任意一项所述的承托装置来进行晶圆的湿法刻蚀工艺中,包括以下步骤:
将所述晶圆放置于所述承托装置的导向槽内;
启动所述驱动装置,所述驱动装置通过所述传动装置驱动所述晶圆滚动装置带动所述晶圆转动;
所述升降装置带动所述承托装置下降,以将所述晶圆完全浸没于所述湿法刻蚀工艺中的刻蚀液中;
其中,所述晶圆在进行所述湿法刻蚀工艺的过程中均保持所述晶圆的转动。
10.如权利要求9所述的提升晶圆均匀度的湿法刻蚀方法,其特征在于,所述晶圆在进入所述蚀刻液和离开所述蚀刻液时,均以相同的速度匀速转动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造