[发明专利]一种硅刻蚀工艺无效
| 申请号： | 201310082106.6 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103165435A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李芳;刘文燕;黄耀东 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 工艺 | ||
1.一种硅刻蚀工艺，应用于一硅衬底上，所述硅衬底的上表面覆盖有一层保护膜，其特征在于，包括以下步骤：
旋涂光刻胶覆盖所述保护膜的上表面，曝光、显影后，去除多余的光刻胶，于所述保护膜的上表面形成具有刻蚀图形的光阻；
以所述光阻为掩膜，刻蚀所述保护膜至所述硅衬底的上表面；
继续离子注入工艺，于所述硅衬底中形成掺杂区；
去除所述光阻后，以剩余的所述保护膜为掩膜刻蚀所述掺杂区，形成沟槽。
2.如权利要求1所述的硅刻蚀工艺，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述掺杂区。
3.如权利要求2所述的硅刻蚀工艺，其特征在于，采用磷酸化学液进行所述湿法刻蚀工艺。
4.如权利要求3所述的硅刻蚀工艺，其特征在于，通过所述离子注入工艺中的注入离子类型控制所述湿法刻蚀的速率；
通过所述磷酸化学液的温度控制所述湿法刻蚀的速率。
5.如权利要求1所述的硅刻蚀工艺，其特征在于，所述保护膜的材质为二氧化硅。
6.如权利要求5所述的硅刻蚀工艺，其特征在于，采用化学气相淀积工艺制备所述保护膜。
7.如权利要求1所述的硅刻蚀工艺，其特征在于，所述掺杂区的形状通过所述离子注入的注入方向和注入深度来控制。
8.如权利要求1所述的硅刻蚀工艺，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述保护膜。
9.如权利要求1所述的硅刻蚀工艺，其特征在于，采用干法去胶工艺去除所述光阻。
10.如权利要求1所述的硅刻蚀工艺，其特征在于，采用湿法去胶工艺去除所述光阻。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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