[发明专利]一种铕掺杂镧系硅氧氮化合物及其制备方法

权利要求书

1.一种铕掺杂镧系硅氧氮化合物，其特征在于，其化学通式为：La_5-5xEu_5xSi₃O₁₂N，其中，0<x<0.25。

2.根据权利要求1所述的铕掺杂镧系硅氧氮化合物，其特征在于，所述化学通式中0<x<0.1。

3.一种铕掺杂镧系硅氧氮化合物的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤制备：

（a）按照化学式La_5-5xEu_5xSi₃O₁₂N，其中0<x<0.25的摩尔配比称量原料：三氧化二镧、二氧化硅、氮化硅、三氧化二铕；

（b）将原料进行球磨，球磨后的粉末进行压片；

（c）将压片置于高温炉中，在炉内充入氮、氢混合气源，将炉温升至1000～1250℃，烧结3～10小时；

（d）关掉氢气气源，在充入氮气气源的环境下，高温炉的气压维持在0.5～1MPa下，炉温升至1450～1550℃，将压片继续烧结3～10小时；

（e）通气使高温炉内的压强降为常压，在氮、氢混合气源的流通下，使高温炉自然降至室温，取出压片，研磨，即得荧光材料。

4.根据权利要求3所述的铕掺杂镧系硅氧氮化合物的制备方法，其特征在于，步骤（a）中0<x<0.1。

5.根据权利要求3所述的铕掺杂镧系硅氧氮化合物的制备方法，其特征在于，步骤（b）所述的球磨时间为1～2小时。

6.根据权利要求3所述的铕掺杂镧系硅氧氮化合物的制备方法，其特征在于，步骤（b）压片时压强为13～18MPa。

7.根据权利要求3所述的铕掺杂镧系硅氧氮化合物的制备方法，其特征在于，步骤（c）所述烧结时间为3小时。

8.根据权利要求3所述的铕掺杂镧系硅氧氮化合物的制备方法，其特征在于，步骤（d）所述烧结时间为3小时。

9.根据权利要求3所述的铕掺杂镧系硅氧氮化合物的制备方法，其特征在于，步骤（d）所述高温炉的气压在0.5MPa。