[发明专利]半导体装置的制作方法在审
| 申请号： | 201310083714.9 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN104051325A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 郭泽绵;张硕哲 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制作方法 | ||
1.一种半导体装置的制作方法，其特征在于：在一半导体基板上形成一绝缘层；
在所述绝缘层中形成至少一个开口，以露出所述半导体基板，其中所述半导体基板在位于所述开口底部的表面区域具有一原生氧化层；
在所述开口的侧壁形成一导电间隙壁；
形成所述导电间隙壁之后，实施一蚀刻步骤，以除去位于所述开口底部的原生氧化层并露出所述半导体基板；并且在所述开口内填充一导电材料，以形成一导电栓塞。
2.如权利要求1所述的一种半导体装置的制作方法，其特征在于：在所述蚀刻步骤之后及在填充所述导电材料之前，在所述导电间隙壁上及露出的所述半导体基板上顺应性形成一第二导电层。
3.如权利要求2所述的一种半导体装置的制作方法，其特征在于：所述导电间隙壁包括氮化钛。
4.如权利要求2或3所述的一种半导体装置的制作方法，其特征在于：所述第二导电层包括氮化钛。
5.如权利要求2所述的一种半导体装置的制作方法，其特征在于：所述导电间隙壁与所述第二导电层是使用不同材料形成。
6.如权利要求1所述的一种半导体装置的制作方法，其特征在于：所述形成所述导电间隙壁的步骤包括︰
在所述绝缘层上及所述至少一开口内顺应性形成一第一导电层；以及除去所述绝缘层上及所述至少一开口的底部的所述第一导电层。
7.如权利要求6所述的一种半导体装置的制作方法，其特征在于：所述第一导电层包括氮化钛。
8.如权利要求1所述的一种半导体装置的制作方法，其特征在于：所述蚀刻步骤包括湿蚀刻步骤。
9.如权利要求1所述的一种半导体装置的制作方法，其特征在于：所述导电材料包括钨。
10.如权利要求1项所述一种的半导体装置的制作方法，其特征在于：在所述蚀刻步骤之后及在填充所述导电材料之前，在所述至少一开口内顺应性形成一扩散阻障金属层。
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