[发明专利]电子器件用外延基板及其生产方法有效
| 申请号： | 201310084558.8 | 申请日： | 2009-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103258717A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 生田哲也;清水成;柴田智彦 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子器件 外延 及其 生产 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种电子器件用外延基板，其包括：Si单晶基板；和通过在所述Si单晶基板上外延生长多个III族氮化物层而形成的III族氮化物层压体，其中将所述外延基板的横向定义为主电流传导方向，所述电子器件用外延基板的特征在于：
在所述Si单晶基板和所述III族氮化物层压体之间进一步包括作为绝缘层的缓冲层；
所述缓冲层包括由超晶格多层结构构成的层压结构，所述超晶格多层结构以1×1018/cm3以上的浓度包含碳；
所述Si单晶基板为具有不大于0.01Ω·cm电阻率值的p-型基板。
2.根据权利要求1所述的电子器件用外延基板，其中所述III族氮化物层是至少包含Al或Ga的层。
3.一种电子器件用外延基板的生产方法，其中通过在Si单晶基板上外延生长多个III族氮化物层而形成III族氮化物层压体，从而将所述基板的横向定义为主电流传导方向，所述方法包括：
通过以较高浓度向所述Si单晶基板添加硼，使所述Si单晶基板形成为具有不大于0.01Ω·cm电阻率值的p-型基板；和
在所述III族氮化物层压体形成之前，在所述Si单晶基板上形成作为绝缘层的缓冲层，所述缓冲层包括由超晶格多层结构构成的层压结构，所述超晶格多层结构以1×1018/cm3以上的浓度包含碳。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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