[发明专利]一种水电绝缘的半导体激光器线阵的封装方法无效
| 申请号： | 201310084789.9 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103166103A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 高松信 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/024 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 卿诚;吴彦峰 |
| 地址： | 621000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 水电 绝缘 半导体激光器 封装 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种水电绝缘的半导体激光器线阵的封装方法，其特征是包括以下步骤：
a. 在冷却器（7）上焊接高热导率绝缘陶瓷（6）；
b. 在绝缘陶瓷（6）上制备电极图层（5）和焊料（4）；
c. 给冷却器上（7）的焊料（4）和半导体激光器芯片（3）升温使焊料（4）融化，然后降温将多组半导体激光器芯（3）片一次性焊接到冷却器（7）上；
d. 在冷却器（7）上安装引出电极和漫反射组件（1）；
e. 通过金丝或金带（2）压焊电极引线，完成半导体激光器阵列的封装。
2. 根据权利要求1所述的一种水电绝缘的半导体激光器线阵的封装方法，其特征是：所述步骤a中的焊接温度为450℃-1200℃。
3. 根据权利要求1或2所述的一种水电绝缘的半导体激光器线阵的封装方法，其特征是：所述步骤b中电极图层（5）的厚度为5μm-10μm。
4. 根据权利要求1或2所述的一种水电绝缘的半导体激光器线阵的封装方法，其特征是：所述步骤c中升温过程的升温速率为0.1-20K/s，降温过程的降温速率为0.5-10K/s。
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