[发明专利]一种用于减少ITO溅射损伤衬底的溅射设备及其方法无效
申请号: | 201310084848.2 | 申请日: | 2013-03-15 |
公开(公告)号: | CN103132032A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 储培鸣 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/08 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201506 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 减少 ito 溅射 损伤 衬底 设备 及其 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种溅射设备,尤其涉及一种用于减少ITO溅射损伤衬底的溅射设备及其方法。
背景技术
ITO是一种良好的透明导电材料,在显示行业常用于透明电极的形成。但是在AMOLED显示器的应用上,在一些器件结构中ITO需要被沉积在OLED有机材料表面,在这过程中,作为衬底的OLED有机材料表面容易受到ITO溅射过程中产生的高能粒子的轰击而受到损伤,从而影响其性能。另外,ITO溅射过程中Plasma放电过程中常伴随紫外光的产生,这些也对有机材料的性能产生不良影响。
发明内容
针对以上所述的技术问题,本发明提供了一种用于减少ITO溅射损伤衬底的设备及其方法,用以减少ITO溅射操作中对衬底损伤。
具体技术方案如下所示:
一种用于减少ITO溅射损伤衬底的溅射设备,所述溅射设备的溅射腔室中包括用以设置基板的基板连接结构和用以设置靶材的靶材连接结构,其中,
所述靶材连接结构使连接于所述靶材连接结构上的靶材位于所述基板连接结构侧方,且与所述基板连接结构上连接的基板成预设角度,并使所述靶材与基板之间留有空隙;
所述靶材连接结构包括负电位发生装置,所述负电位发生装置产生并施加负电位于连接于所述靶材连接结构的靶材上;
所述设备的溅射腔室中还包括与所述靶材连接结构上的靶材平行设置的阳极板,所述阳极板用以与所述靶材共同形成位于所述阳极板与所述靶材之间的电场。
上述的用于减少ITO溅射损伤衬底的溅射设备,其中,
所述靶材连接结构与所述阳极板连接结构形成溅射发生组件,所述溅射发生组件有多个,多个所述溅射发生组件相互平行的设置于所述基板连接结构侧方。
上述的用于减少ITO溅射损伤衬底的溅射设备,其中,
多个所述溅射发生组件以相邻的所述溅射发生组件中的所述阳极和所述靶材连接结构分别相向设置。
上述的用于减少ITO溅射损伤衬底的溅射设备,其中,
所述基板连接结构连接一移动装置,所述移动装置使所述基板连接结构移动。
上述的用于减少ITO溅射损伤衬底的溅射设备,其中,
所述靶材连接结构可连接的靶材高度等于或小于所述阳极板的高度。
上述的用于减少ITO溅射损伤衬底的溅射设备,其中,
所述靶材连接结构可连接的靶材高度小于所述基板连接结构可连接的基板长度。
上述的用于减少ITO溅射损伤衬底的溅射设备,其中,所述靶材连接结构使连接于所述靶材连接结构上的靶材位于所述基板连接结构上方。
上述的用于减少ITO溅射损伤衬底的溅射设备,其中,所述靶材连接结构使连接于所述靶材连接结构上的靶材垂直于所述基板连接结构上连接的基板。
一种减少ITO溅射损伤衬底的方法,其中,包括上述的一种用于减少ITO溅射损伤衬底的溅射设备,包括如下步骤:
步骤1.将所述靶材置于所述基板侧方,并与所述基板之间呈预设角度,所述靶材与基板之间留有空隙,且所述靶材的高度小于所述基板的长度;
步骤2.平行于所述靶材设置一阳极板,向所述阳极板施加正电位,向所述靶材施加负电位,于所述阳极板与所述靶材之间形成电场,其中所述靶材的面积小于或等于所述阳极板;
步骤3.在溅射腔室内通入反应气体;
步骤4.利用靶材侧方的部分对基板进行镀膜溅射操作。
上述的减少ITO溅射损伤衬底的方法,其中,所述反应气体为氩气或氩气与氧气混合或氩气与水汽混合。
上述的减少ITO溅射损伤衬底的方法,其中,
所述靶材设置于靶材连接结构,所述靶材连接结构与所述阳极板形成溅射发生组件;
所述步骤2还包括:
步骤2.1在所述基板连接结构上方平行设置多个所述溅射发生组件;
步骤2.2将多个所述溅射发生组件以相邻的所述溅射发生组件中的所述阳极板和所述靶材分别相向设置。
上述的减少ITO溅射损伤衬底的方法,其中,所述步骤4中的镀膜溅射操作包括将所述基板在溅射过程中进行移动。
上述的减少ITO溅射损伤衬底的方法,其中,所述靶材连接结构使连接于所述靶材连接结构上的靶材位于所述基板连接结构上方。
上述的减少ITO溅射损伤衬底的方法,其中,所述靶材连接结构使连接于所述靶材连接结构上的靶材垂直于所述基板连接结构上连接的基板。
本发明的有益技术效果是:
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