[发明专利]一种栅氧化层的制备方法有效
| 申请号： | 201310085199.8 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103165432A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 张红伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 制备 方法 | ||
1.一种栅氧化层的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底于RTP腔室中；
在第一压强下通入包括氧气、一氧化二氮及氢气的反应气体；
对所述衬底表面升温至反应温度，并持续一段时间；
在所述衬底表面形成一层栅氧化层。
2.如权利要求1所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述栅氧化层的厚度为小于等于
3.如权利要求2所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述栅氧化层的厚度为
4.如权利要求1所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述栅氧化层的成分包括氮氧化硅。
5.如权利要求4所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述栅氧化层中氮的原子数含量为1%～5%。
6.如权利要求1所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述混合气体中氢气的体积百分比小于1%。
7.如权利要求6所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述通入反应气体为先通入一氧化二氮和氧气，待所述RTP腔室温度为第一温度时，通入氢气并升温至反应温度。
8.如权利要求6所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述通入反应气体为先通入一氧化二氮，待所述RTP腔室温度为第一温度时，通入氢气并升温至反应温度，待反应结束后排除尾气并降温至第一温度，再依次通入氧气和氢气并升温至反应温度。
9.如权利要求6所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述通入反应气体为先通入氧气，待所述RTP腔室温度为第一温度时，通入氢气并升温至反应温度，待反应结束后排除尾气并降温至第一温度，再依次通入一氧化二氮和氢气并升温至反应温度。
10.如权利要求1所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述反应温度为800℃～1100℃。
11.如权利要求1所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述升温至反应温度持续的时间为15s～60s。
12.如权利要求1所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述第一压强为小于等于20torr。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310085199.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基板及应用其的半导体结构
- 下一篇：电感耦合等离子体线圈及等离子体注入装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
