[发明专利]第III族氮化物化合物半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种第III族氮化物化合物半导体发光器件，包括：

GaN衬底；

支承所述GaN衬底的支承衬底；

发光层；

在所述GaN衬底与所述发光层之间形成的第一导电半导体层；以及

相对于所述发光层在与所述第一导电半导体层相反的侧面处形成的第二导电半导体层；

其中所述GaN衬底具有在10nm至10μm的范围内的厚度，所述第一导电半导体层包含InGaN层，并且所述InGaN层具有在从大于0至3％的范围内的In组成比率X。

2.根据权利要求1所述的第III族氮化物化合物半导体发光器件，其中所述InGaN层包括n型InGaN层，并且所述n型InGaN层具有在从0.1％至2％的范围内的In组成比率X。

3.根据权利要求1或2所述的第III族氮化物化合物半导体发光器件，其中所述GaN衬底具有在从100nm至200nm的范围内的厚度。

4.一种用于制造第III族氮化物化合物半导体发光器件的方法，包括下述步骤：

将GaN衬底固定到支承衬底的GaN衬底固定步骤，

形成包含InGaN层的第一导电半导体层的第一导电半导体层形成步骤，

形成发光层的发光层形成步骤，以及

形成具有与所述第一导电半导体层的极性不同的极性的第二导电半导体层的第二导电半导体层形成步骤，

其中所述GaN衬底固定步骤使用具有在从10nm至10μm的范围内的厚度的GaN衬底，并且所述第一导电半导体层形成步骤形成具有在从大于0％至3％的范围内的In组成比率X的InGaN层。

5.根据权利要求4所述的用于制造第III族氮化物化合物半导体发光器件的方法，其中所述第一导电半导体层形成步骤形成n型InGaN层作为InGaN层，并且所述n型InGaN层具有在从0.1％至2％的范围内的In组成比率X。

6.根据权利要求4或5所述的用于制造第III族氮化物化合物半导体发光器件的方法，其中所使用的所述GaN衬底具有在从100nm至200nm的范围内的厚度。