[发明专利]一种IGBT短路集电极结构的制备方法

权利要求书

1.一种IGBT短路集电极结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在IGBT结构的正面形成栅极结构和源极结构后，将N-型衬底的背面减薄，并在所述N-型衬底的背面淀积一层掩蔽层；

依次刻蚀部分所述掩蔽层和所述N-型衬底，并在所述N-型衬底的背面形成凹槽；

在所述掩蔽层上和所述凹槽内淀积薄膜层，所述薄膜层的材料为锗，所述薄膜层的厚度大于所述凹槽的深度；

刻蚀掉所述掩蔽层上的所述薄膜层，经平坦后，依次通过离子注入和高温退火，所述高温退火的温度为300℃-500℃；

在所述掩蔽层上刻蚀孔，并淀积金属，然后形成集电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜层的厚度为0.1μm-5μm，所述集电极的掺杂浓度范围为10¹⁴–10²⁰/cm³。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述集电极图形之间的间距小于所述IGBT结构中正面的原胞之间的间距。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩蔽层的材料为SiO₂或者Si₃N₄。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽的深度为0.1μm-5μm。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述凹槽的深度为0.2μm-1μm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述锗为多晶锗或者非晶锗。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入的离子为硼离子。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述硼离子的能量为20KeV–100KeV，所述硼离子的剂量为10¹²/cm²–10¹⁶/cm²。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火的温度为400℃。