[发明专利]一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法

权利要求书

1.一种中高压沟槽型功率器件的终端结构，其特征在于，在功率器件的终端区域至少有一个沟槽，所述沟槽的两侧均有表面结，靠近有源区的一侧为n型注入结，远离有源区的一侧为p型注入结，所述沟槽内有填充物。

2.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述表面结的浓度均大于所述功率器件的漂移区浓度。

3.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述表面结的结深小于所述沟槽的槽深。

4.根据权利要求3所述的终端结构，其特征在于，所述表面结的结深均为0.4-4um。

5.根据权利要求3所述的终端结构，其特征在于，所述沟槽的深度范围为2-15um，所述沟槽的宽度范围为0.5-5um。

6.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述填充物为钝化物或者导电物质。

7.根据权利要求6所述的终端结构，其特征在于，所述钝化物为氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅中的任意一种。

8.根据权利要求6所述的终端结构，其特征在于，所述导电物质为多晶硅。

9.一种中高压沟槽型功率器件的终端结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

通过掩膜版，在n型衬底的终端区通过湿法刻蚀或反应离子刻蚀形成至少一个沟槽，通过掩膜版，通过离子注入的方法或者扩散的方法在所述沟槽中靠近有源区的一侧形成n型注入结，在所述沟槽中另一侧形成p型注入结；通过淀积的方法，在所述沟槽内和所述n型衬底的上表面覆盖钝化物。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在所述覆盖钝化物之前，先在所述沟槽内和所述n型衬底的上表面淀积一层导电物质，然后通过等离子体刻蚀的方法，将所述n型衬底上表面的导电物质刻蚀掉，最后再通过淀积的方法，在所述沟槽内和所述n型衬底的上表面覆盖钝化物。