[发明专利]用于制造含Ga的第III族氮化物半导体的方法有效
| 申请号： | 201310086320.9 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103367589A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 奥野浩司;小盐高英;柴田直树;天野浩 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 ga iii 氮化物 半导体 方法 | ||
1.一种用于在衬底上生长第III族氮化物半导体的方法，所述衬底包括不同于所述第III族氮化物半导体的材料，所述方法包括：
在所述衬底上形成处于多晶、非晶、或多晶与非晶混合状态的缓冲层，所述缓冲层包含AlN或AlxGa1-xN(0＜x＜1)；
在比在所述缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体的单晶的温度高的温度下并且在所述含Ga的第III族氮化物半导体不生长的温度下，对其上形成有所述缓冲层的所述衬底进行热处理，以使所述缓冲层的晶核密度相比所述热处理之前的密度降低；
在所述热处理之后，将所述衬底的温度降低至所述含Ga的第III族氮化物半导体的单晶生长的温度，并且保持所述温度；以及
通过MOCVD法在所述缓冲层上生长所述含Ga的第III族氮化物半导体。
2.根据权利要求1所述的用于生长第III族氮化物半导体的方法，其中所述含Ga的第III族氮化物半导体不生长的温度为1250℃或更高。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的用于生长第III族氮化物半导体的方法，其中在使氢气和氨气流动的状态下进行所述热处理。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的用于生长第III族氮化物半导体的方法，其中通过MOCVD法在300℃至600℃的范围内的衬底温度下形成所述缓冲层。
5.根据权利要求1或权利要求2所述的用于生长第III族氮化物半导体的方法，其中通过溅射形成所述缓冲层。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的用于生长第III族氮化物半导体的方法，其中所述缓冲层的厚度为1nm至100nm。
7.根据权利要求1或权利要求2所述的用于生长第III族氮化物半导体的方法，其中所述衬底包括蓝宝石衬底。
8.根据权利要求1或权利要求2所述的用于生长第III族氮化物半导体的方法，其中所述含Ga的第III族氮化物半导体包括GaN。
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