[发明专利]一种核聚变材料辐照内部损伤的检测方法有效
| 申请号： | 201310086459.3 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103207287A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 刘东平;杨德明;范红玉 | 申请（专利权）人： | 大连民族学院 |
| 主分类号： | G01Q60/24 | 分类号： | G01Q60/24 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李馨 |
| 地址： | 116600 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 聚变 材料 辐照 内部 损伤 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种核聚变材料辐照内部损伤的检测方法，其特征在于：所述方法利用导电式原子力显微镜，包括下述工艺步骤：
①导电式原子力显微镜安装导电针尖，并在导电针尖与导电样品台之间设置驱动电路；
②将待测材料置于导电针尖与导电样品台之间；
③获取待测材料的形貌图像和电流图像；
④对待测材料进行辐照处理并获取辐照后待测材料的形貌图像和电流图像；
⑤对比辐照前和辐照后待测材料的电流图像，确定其内部损伤；
其中，所述待测材料为导体、半导体材料或经辐照后导电的绝缘材料。
2.根据权要求1所述的方法，其特征在于：所述方法包括对待测材料进行点测试，得到相应的I-V曲线。
3.根据权要求1所述的方法，其特征在于：所述待测材料的表面粗糙度小于100nm。
4.根据权要求1所述的方法，其特征在于：所述待测材料为碳化硅、碳氢膜、钼、钨、碳化钨或铍。
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