[发明专利]荧光物质、发光器件以及用于生产荧光物质的方法无效
申请号: | 201310086523.8 | 申请日: | 2013-03-19 |
公开(公告)号: | CN103666470A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 福田由美;松田直寿 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80;H01L33/50 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 党建华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 物质 发光 器件 以及 用于 生产 方法 | ||
对相关申请的交叉引用
本申请基于2012年9月25日提出的在前的日本专利申请No.2012-211074,并要求它的优先权的利益,该专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本公开的各实施例涉及荧光物质、发光器件,以及用于生产荧光物质的方法。
背景技术
白光发光器件包括,例如,蓝光LED、在蓝光激励下发出红光的荧光物质,以及在蓝光激励下发出绿光的另一种荧光物质,的组合。然而,如果包含在蓝光激励下发出黄光的荧光物质,则可以通过使用较少类型的荧光物质,来生产白光发光器件。黄光发光荧光物质包括Eu激活的原硅酸盐荧光体。
对黄光发光荧光物质的使用进行了各种学习,相应地,对荧光物质在温度特性、量子产额以及颜色呈现属性方面的要求已提高。
发明内容
根据本发明一方面,提供一种荧光物质,所述荧光物质在具有250到500nm波长范围内的峰值的光的激励下发出具有500到600nm波长范围内的峰值的荧光,所述荧光物质在560nm具有4×10-5或更小的光吸收系数α560nm,以及所述荧光物质通过下列公式(1)来表示:(M1-xCex)2yAlzSi10-zOuNw(1),其中,M是从由Ba、Sr、 Ca、Mg、Li、Na和K构成的组中选择的金属元素;而x、y、z、u和w是分别满足下列条件的变量:0<x≤1,0.8≤y≤1.1,2≤z≤3.5,u≤1,1.8≤z-u以及13≤u+w≤15。
根据本发明的另一方面,提供一种发光器件,包括:辐射具有250到500nm波长范围内的峰值的光的发光元件,以及包含当接收来自所述发光元件的光时发出黄光的荧光体的发光层;其中黄光发光荧光体是根据本发明所述的荧光物质。
根据本发明的又一方面,提供一种发光器件,包括:辐射具有250到500nm波长范围内的峰值的光的发光元件,以及包含当从所述发光元件接收光时发出黄光的荧光体和当从所述发光元件接收光时发出蓝光的另一种荧光体的发光层;其中黄光发光荧光体是根据本发明所述的荧光物质。
根据本发明的再一方面,提供一种用于产生根据本发明所述的荧光物质的方法,包括下列步骤:混合从M的氮化物和碳化物中选择的材料M,从Al的氮化物,氧化物和碳化物中选择的材料Al,从Si的氮化物,氧化物和碳化物中选择的材料Si,以及从Ce的氧化物,氮化物和碳酸盐中选择的材料Ce,以获取混合物;以及焙烧所述混合物。
附图说明
图1示出了晶体结构Sr2Al3Si7ON13。
图2示出了示意地示出了根据一个实施例的发光器件的垂直截面图。
图3示出了示意地示出了根据另一实施例的发光器件的垂直截面图。
图4示出了在例子1和比较例子1中获得的荧光物质的发射光谱。
图5示出了在例子1和比较例子1中获得的荧光物质的吸收光谱。
图6示出了在例子1和比较例子1中获得的荧光物质的吸收光谱。
具体实施方式
现在将参考各个附图来说明各实施例。
本发明的实施例提供一种荧光物质,该荧光物质在具有250到500nm波长范围内的峰值的光的激励下发出具有500到600nm波长范围内的峰值的荧光,所述荧光物质在560nm具有4×10-5或更小光吸收系数α560nm。该荧光物质通过下列公式(1)来表示:
(M1-xCex)2yAlzSi10-zOuNw (1)
其中,M是从由Ba、Sr、Ca、Mg、Li、Na和K构成的组中选择的金属元素;而x,y,z,u和w是分别满足下列条件的变量:
0<x≤1,
0.8≤y≤1.1,
2≤z≤3.5,
u≤1,
1.8≤z-u以及
13≤u+w≤15。
下面将详细地描述实施例。
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