[发明专利]上电复位电路

权利要求书

1.一种上电复位电路，其特征在于，包括复位信号产生电路，所述复位信号产生电路包括：启动电阻电路，电容C0，PMOS管Mp0，PMOS管Mp1，PMOS管Mp2，NMOS管Mn0，NMOS管Mn1，NMOS管Mn2；

PMOS管Mp0的第一金属极、启动电阻电路、电容C0、NMOS管Mn2的栅极分别接入电源VDD，PMOS管Mp0的第二金属极与PMOS管Mp1的第一金属极连接，PMOS管Mp1的第二金属极与PMOS管Mp2的第一金属极连接，PMOS管Mp2的第二金属极与NMOS管Mn1的第一金属极连接，启动电阻电路的另一端、电容C0的另一端、PMOS管Mp2的栅极、NMOS管Mn1的栅极与NMOS管Mn0的栅极和第一金属极相互连接，NMOS管Mn0的第二金属极与NMOS管Mn2的第一金属极连接，PMOS管Mp0的栅极、PMOS管Mp1的栅极、NMOS管Mn1的第二金属极、NMOS管Mn2的第二金属极接地。

2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，还包括与所述复位信号产生电路相连接的迟滞反馈电路。

3.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，所述迟滞反馈电路包括PMOS管Mp3、反相器inv0，PMOS管Mp3的第一金属极接入电源VDD，PMOS管Mp3的第二金属极与PMOS管Mp1的第二金属极、PMOS管Mp2的第一金属极连接，反相器inv0的输入端与PMOS管Mp2的第二金属极、NMOS管Mn1的第一金属极连接，PMOS管Mp3的栅极与反相器inv0的输出端连接。

4.根据权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于，所述反相器inv0为半施密特反相器。

5.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，还包括与所述迟滞反馈电路连接的低电平展宽电路。

6.根据权利要求5所述的上电复位电路，其特征在于，所述低电平展宽电路包括：电容C1、PMOS管Mp4、NMOS管Mn3、NMOS管Mn4、NMOS管Mn5、NMOS管Mn6以及反相器inv1，PMOS管Mp4的第一金属极、电容C1、NMOS管Mn3的栅极接入电源VDD，PMOS管Mp4的第二金属极、电容C1的另一端、NMOS管Mn6的第一金属极与反相器inv1的输入端连接，PMOS管Mp4的栅极、NMOS管Mn6的栅极与迟滞反馈电路的输出端连接，NMOS管Mn6的第二金属极与NMOS管Mn4的第一金属极、NMOS管Mn5的第一金属极连接，NMOS管Mn4的栅极与NMOS管Mn3的第一金属极连接，NMOS管Mn4的第二金属极、NMOS管Mn5的第二金属极接地，NMOS管Mn5的栅极与反相器inv1的输出端连接。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的上电复位电路，其特征在于，所述启动电阻电路包括电阻R0。

8.根据权利要求1至6任意一项所述的上电复位电路，其特征在于，所述启动电阻电路包括相互串联的、工作在电阻区的一个以上的PMOS管。

9.根据权利要求8所述的上电复位电路，其特征在于，所述启动电阻电路还包括与所述工作在电阻区的一个以上的PMOS管连接的电阻R1。

10.根据权利要求8所述的上电复位电路，其特征在于，所述工作在电阻区的一个以上的PMOS管为长沟型PMOS管。