[发明专利]具有带屏蔽功能的微流道结构的硅基转接板及其制作方法

权利要求书

1.一种硅基转接板，其特征在于，该硅基转接板包括具有电磁屏蔽功能的微流道结构，且在该微流道结构的侧壁形成有电磁带隙结构。

2.根据权利要求1所述的硅基转接板，其特征在于，该微流道结构在该硅基转接板上的位置靠近作为信号层的金属互连层，以阻挡硅基上传输线层的电磁场能量进入到半导体基底，并隔离重要信号TSV，以减少TSV间的信号串扰。

3.根据权利要求1所述的硅基转接板，其特征在于，该微流道结构是蛇形、半回字形或涡旋形结构。

4.根据权利要求1所述的硅基转接板，其特征在于，该电磁带隙结构是周期性结构，通过刻蚀硅的侧壁形成。

5.根据权利要求4所述的硅基转接板，其特征在于，该电磁带隙结构采用任何达到带阻滤波器效果的形状。

6.根据权利要求1所述的硅基转接板，其特征在于，该电磁带隙结构中所需的介质是该微流道结构中用来散热的流体。

7.根据权利要求1所述的硅基转接板，其特征在于，该硅基转接板表层具有绝缘层，该绝缘层是SiO₂、Si₃N₄、polymer或者玻璃类的绝缘材料。

8.一种制作权利要求1至7中任一项所述硅基转接板的方法，其特征在于，包括：

步骤1：在半导体基底上旋涂光刻胶作为微流道刻蚀掩模；

步骤2：通过深反应离子刻蚀技术对半导体基底进行刻蚀，形成带有电磁带隙结构的微流道结构；

步骤3：利用化学气相沉积在微流道结构内部填充氮化硅作为牺牲层材料，然后通过化学机械抛光技术整平半导体基底表面；

步骤4：在半导体基底表面上旋涂光刻胶作为TSV的刻蚀掩模；

步骤5：通过深反应离子刻蚀技术对半导体基底进行刻蚀，形成TSV孔，再利用化学气相沉积在半导体基底表面沉积二氧化硅作为TSV绝缘层和基底表面绝缘介质层，然后再通过物理气相沉积制作Ti/Cu种子层，然后电镀铜填充TSV孔；

步骤6：制作中间介质层和金属互连层，中间介质层用于支撑微流道；

步骤7：划片，暴露出氮化硅牺牲层释放口；

步骤8：用磷酸刻蚀氮化硅牺牲层，释放微流道，完成具有带屏蔽功能的微流道结构的硅基转接板的制作。