[发明专利]高纯石墨催化条件下纳米铝片阵列的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310088242.6 申请日: 2013-03-19
公开(公告)号: CN103192085A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 张海礁;赵国刚;张海军 申请(专利权)人: 黑龙江科技学院
主分类号: B22F9/16 分类号: B22F9/16;B82Y40/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 王艳萍
地址: 150027 黑*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 高纯 石墨 催化 条件下 纳米 阵列 制备 方法
【权利要求书】:

1.高纯石墨催化条件下纳米铝片阵列的制备方法,其特征在于高纯石墨催化条件下纳米铝片阵列的制备方法按照以下步骤进行:

一、将铝片放入石英管中,再将石英管真空密封后,以5~10℃/分的速度升温到500℃,在500℃保温1h;

二、取0.8~1.6ml氨水、8~16ml无水乙醇和8~12ml蒸馏水,在室温条件下搅拌、混合30分钟,调节pH值为9,得到混合液;

三、将0.1~0.8ml去水山梨糖醇单油酸酯滴入步骤二所得混合液中,在室温下以150~250转/分的速度搅拌1h,形成均匀的乳状悬浮液;

四、将0.1~0.2g高纯石墨放入步骤三所得乳状悬浮液中,搅拌30分钟,形成均匀的悬浮液;

五、将步骤四所得悬浮液置入水热反应釜中,悬浮液的加入量为反应釜体积的4/5;

六、将经过步骤一处理的铝片放入步骤五的水热反应釜中,密封,在120~180℃条件下保温12~24h,洗涤水热反应后的铝片至洗液的pH值为6~8,干燥,即得纳米铝片阵列。

2.根据权利要求1所述高纯石墨催化条件下纳米铝片阵列的制备方法,其特征在于步骤一中所述铝片的纯度为≥99.5%。

3.根据权利要求1或2所述高纯石墨催化条件下纳米铝片阵列的制备方法,其特征在于步骤一中以8℃/分的速度升温到500℃。

4.根据权利要求1或2所述高纯石墨催化条件下纳米铝片阵列的制备方法,其特征在于步骤二中氨水的物质的量的浓度为0.05mol/L。

5.根据权利要求1或2所述高纯石墨催化条件下纳米铝片阵列的制备方法,其特征在于步骤二中氨水与无水乙醇的摩尔比为1∶10。

6.根据权利要求1或2所述高纯石墨催化条件下纳米铝片阵列的制备方法,其特征在于步骤四中所述高纯石墨的纯度为99.5%~99.9%,平均粒径为2μm~5μm。

7.根据权利要求1或2所述高纯石墨催化条件下纳米铝片阵列的制备方法,其特征在于步骤六中在130~170℃条件下保温15~22h。

8.根据权利要求1或2所述高纯石墨催化条件下纳米铝片阵列的制备方法,其特征在于步骤六中在140~160℃条件下保温18~21h。

9.根据权利要求1或2所述高纯石墨催化条件下纳米铝片阵列的制备方法,其特征在于步骤六中在150℃条件下保温20h。

10.根据权利要求1或2所述高纯石墨催化条件下纳米铝片阵列的制备方法,其特征在于步骤六中的干燥温度为60℃。

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