[发明专利]一种发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201310088278.4 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103151448A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 闭伟焕;赵文强;李绍荣;于军胜;马云辉 | 申请（专利权）人： | 中山达华智能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528400 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管，包括底座(1)，底座(1)上安装有发光二极管芯片(2)，发光二极管芯片(2)上具有发光层(3)，其特征在于：所述发光层(3)上表面设置有金属纳米材料包覆层(4)，底座(1)上还设置有将发光二极管芯片(2)、发光层(3)和金属纳米材料包覆层(4)包裹的外封装胶(5)。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述金属纳米材料包覆层(4)为金属纳米线、金属合金纳米线、金属异质结纳米线、金属纳米颗粒中的一种或者多种的组合。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管芯片(2)为发蓝光或紫外光的芯片。
4.一种发光二极管的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
①选择与荧光粉匹配的发光二极管芯片(2)，使发光二极管芯片(2)发出的光能有效激发荧光粉；
②采用固晶胶把发光二极管芯片(2)粘合在底座(1)上；
③在发光二极管芯片(2)上引出电极；
④在发光二极管芯片(2)上涂覆荧光粉形成发光层(3)；
⑤将金属纳米材料包覆层(4)制备于步骤④得到的发光层(3)的上表面；
⑥将制备好的发光二极管采用外封装胶(5)进行封装；
⑦最后测试发光二极管的各项光电性能和参数。
5.根据权利要求4所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：步骤④所述荧光粉是借助一种蓝光或紫外光激发而发光的荧光材料。
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