[发明专利]无源标签标志位电路

说明书

技术领域

本发明属于射频识别技术领域，特别涉及一种支持多阅读器访问的无源电子标签的标志位电路结构。

背景技术

射频识别（RFID，Radio Frequency Identification）技术是利用射频方式远距离的通信以达到物品的识别、追踪、定位和管理等目的。射频识别技术在工业自动化，商业自动化，交通运输控制管理，防伪等众多领域，甚至军事用途具有广泛的应用前景，目前已引起了广泛的关注。

利用射频识别技术制作的电子标签和阅读器被广泛的使用，特别是作为物联网的节点的电子标签，可以有效的存储所附着物品的各种信息并通过与阅读器的通信传输这些信息。特别是在进行商品、货物盘点时，阅读器通过防碰撞算法，以实现对商品、货物短时间内清点及盘存入库等操作。

在射频识别领域，无源电子标签通过标签天线接收来自阅读器的电磁波能量，给芯片供电。当多阅读器访问电子标签群时，阅读器按照时分的方法对标签进行访问，在阅读器间隔状态，阅读器停止发送电磁波，无源电子标签没有能量来源，间歇性断电。为了防止阅读器对同一标签的重复访问，提高阅读器对标签的盘存效率，无源电子标签标志位状态必须在断电的情况下依旧保持其状态信息大于保持时间T_hold(T_hold根据相关标准规定，如ISO/IEC18000-6C标准中规定，通话S1标志保持时间为500ms～5s，S2、S3及SL标志的保持时间为大于2s；ISO/IEC18000-6B标准中规定标志保持时间大于2s)。因此，当阅读器掉电后重新启动读取标签时（间隔时间小于T_hold），阅读器可以根据标签的标志位状态判断标签是否已读。标志位具有以下特点：

1.标志位有A和B两种状态，阅读器访问标签时可以将标签标志位设置为A或B状态；

2.当阅读器停止发送电磁波时，标签断电，标签必须保持其标志位的当前状态大于T_hold；

3.当阅读器重新启动读取标签时（间隔时间小于T_hold），阅读器可根据标签标志位状态判断标签是否已读；

4.当标签掉电时间超过其标志位最大保持时间时，标志位自动恢复到A状态。

目前标志位电路普遍采用的信息存储电路为RAM和ROM。RAM中存储的信息掉电后即丢失，无法起到掉电保持的作用；而ROM中存储的信息掉电后会一直保持，无法实现超过保持时间T_hold后，自动恢复到A状态的功能。

发明内容

为了解决现有技术存在的上述问题，本发明提供了一种支持无源电子标签多阅读器访问的标签标志位电路结构。在无源电子标签处于断电情况时，标签的标志位依旧保持其状态信息时间大于2秒。当阅读器再次启动访问标签时（间隔时间小于2秒），阅读器可以根据标签标志位的状态判断出标签是否已经被盘存过。当断电时间超过标志位状态最大保持时间时，标志位状态自动恢复到A状态。

为了实现上述目的，本发明的技术方案是：一种无源标签标志位电路，包括标志位控制信号，标志位输入信号，第一开关，第二开关，第一反相器，第二反相器，缓冲器，第一NMOS管，第二NMOS管，电容；所述标志位控制信号连接至所述的第一开关和第二开关的控制端用于控制所述第一开关和第二开关；所述标志位输入信号连接至第一开关的输入端，第一开关的输出端与第一反相器的输入端相连接，所述第一反相器的输出端与所述第二反相器输入端和所述第一NMOS管的栅极相连接；所述第二反相器输出端与所述第二NMOS管漏极和栅极相连接；所述第二NMOS管源极与所述缓冲器的输入端和所述第一NMOS管漏极相连接并通过所述电容藕接到地电位；所述第一NMOS管源极藕接到地电位；所述第二开关的输出端与第一反相器的输入端相连接；所述第二开关的输入端与所述缓冲器输出端相连接作为标签标志位电路的输出端。

进一步的，所述第一开关具体为NMOS管，其中，所述NMOS管的栅极作为所述第一开关的控制端，所述NMOS管的漏极作为所述第一开关的输入端，所述NMOS管的源极作为所述第一开关的输出端。

进一步的，所述第二开关具体为PMOS管，其中，所述PMOS管的栅极作为所述第二开关的控制端，所述PMOS管的漏极作为所述第二开关的输入端，所述PMOS管的源极作为所述第二开关的输出端。