[发明专利]氧化铝基微波介质陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 201310088629.1 | 申请日: | 2013-03-19 |
公开(公告)号: | CN103145405B | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 任海东;袁亮亮;成国权 | 申请(专利权)人: | 罗森伯格(上海)通信技术有限公司 |
主分类号: | H01L41/187 | 分类号: | H01L41/187;C04B35/10;C04B35/622 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 赵青朵,李玉秋 |
地址: | 201707 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化铝 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种氧化铝基微波介质陶瓷,其化学组成的表达式为式(I):
xα-Al2O3-(1-x)R(I);
其中,x为0.965~0.99;
R为改性添加剂,包括第一添加剂和第二添加剂,所述第一添加剂为MgO、CaCO3和SiO2,所述第二添加剂为K2O、Na2O、ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种;
MgO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.2mol%~1.5mol%;
CaCO3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.03mol%~1mol%;
K2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%~0.5mol%;
Na2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%~0.6mol%;
ZnO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%~0.6mol%;
Y2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%~0.4mol%;
SiO2的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.3mol%~1.8mol%;
B2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%~0.5mol%。
2.根据权利要求1所述的氧化铝基微波介质陶瓷,其特征在于,Y2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.1mol%~0.3mol%。
3.根据权利要求1所述的氧化铝基微波介质陶瓷,其特征在于,ZnO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.1mol%~0.3mol%。
4.根据权利要求1所述的氧化铝基微波介质陶瓷,其特征在于,MgO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.4mol%~1.2mol%。
5.根据权利要求1所述的氧化铝基微波介质陶瓷,其特征在于,CaCO3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.04mol%~0.5mol%。
6.根据权利要求1所述的氧化铝基微波介质陶瓷,其特征在于,SiO2的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.3mol%~1.3mol%。
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