[发明专利]逆光电化学电池无效

专利信息
申请号: 201310088680.2 申请日: 2013-03-20
公开(公告)号: CN103219565A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 曹传宝;郁强 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: H01M14/00 分类号: H01M14/00;C25B1/04;C25B9/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 逆光 电化学 电池
【权利要求书】:

1.逆光电化学电池,其特征在于:其结构与现有技术的PEC电池相似,但其工作原理却与现有技术的PEC电池相反;主要由p型半导体、n型半导体、对电极、电解液以及外电路组成;其中p型半导体为光阳极,n型半导体为光阴极;工作时,将p型半导体光阳极施加正向电压,即将p型半导体光阳极与外电源的正极相连,将n型半导体光阴极施加负向电压,即将n型半导体光阴极与外电源的负极相连;我们将这种电池命名为逆光电化学电池。

2.如权利要求1所述的逆光电化学电池,其特征在于:所述电池中阳极和阴极的组合包括:p型半导体光阳极和对电极阴极组合、n型半导体光阴极和对电极阳极组合、p型半导体光阳极和n型半导体光阴极组合。

3.如权利要求1或2所述的逆光电化学电池,其特征在于:所述p型半导体光阳极为施加正向电压的具有光电响应能力的p型半导体材料光阳极,此电极处发生阳极反应,即氧化反应。

4.如权利要求1或2所述的逆光电化学电池,其特征在于:所述p型半导体光阳极包括p型氧化铜,p型磷化镓,p型铜铟硒,p型氧化亚铜,p型硅。

5.如权利要求1或2所述的逆光电化学电池,其特征在于:所述n型半导体光阴极为施加反向电压的具有光电响应能力的n型半导体材料光阴极,此电极处发生阴极反应,即还原反应。

6.如权利要求1或2所述的逆光电化学电池,其特征在于:所述n型半导体光阴极包括n型硅,n型氧化钛,n型氧化锌,n型氧化铁,n型氧化钨,n型砷化镓。

7.如权利要求1或2所述的逆光电化学电池,其特征在于:所述对电极为导电材料电极,包括金属电极、碳电极。

8.如权利要求1所述的逆光电化学电池,其特征在于:工作过程为:与传统光电化学电池的工作过程、原理相反,逆光电化学电池工作时,将p型半导体光阳极施加正向电压,即将p型半导体光阳极与外电源的正极相连,使电解液中的电子向电极移动,在电极与电解液界面处发生氧化反应,产生氧气;在光照下,p型半导体的费米能级向下降低,产生光电压,此光电压的值我们称为Vp,即当向p型半导体光阳极施加正向电压使得阳极和阴极达到一定的电压差,光照下比暗态下可以少施加Vp的电压;同理,将n型半导体光阴极施加负向电压,即将n型半导体光阴极与外电源的负极相连,使电极中的电子向电解液移动,在电极与电解液界面处发生还原反应,产生氢气;在光照下,n型半导体的费米能级向上提升,产生光电压,此光电压的值我们称为Vn,即当向n型半导体光阳极施加负向电压使得阳极和阴极达到一定的电压差,光照下比暗态下可以少施加Vn的电压;当电池中阳极为p型半导体光阳极而阴极为n型半导体光阴极时,光照下少施加的电压可达(Vn+Vp)V。

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