[发明专利]逆光电化学电池无效
申请号: | 201310088680.2 | 申请日: | 2013-03-20 |
公开(公告)号: | CN103219565A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 曹传宝;郁强 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | H01M14/00 | 分类号: | H01M14/00;C25B1/04;C25B9/04 |
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地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 逆光 电化学 电池 | ||
1.逆光电化学电池,其特征在于:其结构与现有技术的PEC电池相似,但其工作原理却与现有技术的PEC电池相反;主要由p型半导体、n型半导体、对电极、电解液以及外电路组成;其中p型半导体为光阳极,n型半导体为光阴极;工作时,将p型半导体光阳极施加正向电压,即将p型半导体光阳极与外电源的正极相连,将n型半导体光阴极施加负向电压,即将n型半导体光阴极与外电源的负极相连;我们将这种电池命名为逆光电化学电池。
2.如权利要求1所述的逆光电化学电池,其特征在于:所述电池中阳极和阴极的组合包括:p型半导体光阳极和对电极阴极组合、n型半导体光阴极和对电极阳极组合、p型半导体光阳极和n型半导体光阴极组合。
3.如权利要求1或2所述的逆光电化学电池,其特征在于:所述p型半导体光阳极为施加正向电压的具有光电响应能力的p型半导体材料光阳极,此电极处发生阳极反应,即氧化反应。
4.如权利要求1或2所述的逆光电化学电池,其特征在于:所述p型半导体光阳极包括p型氧化铜,p型磷化镓,p型铜铟硒,p型氧化亚铜,p型硅。
5.如权利要求1或2所述的逆光电化学电池,其特征在于:所述n型半导体光阴极为施加反向电压的具有光电响应能力的n型半导体材料光阴极,此电极处发生阴极反应,即还原反应。
6.如权利要求1或2所述的逆光电化学电池,其特征在于:所述n型半导体光阴极包括n型硅,n型氧化钛,n型氧化锌,n型氧化铁,n型氧化钨,n型砷化镓。
7.如权利要求1或2所述的逆光电化学电池,其特征在于:所述对电极为导电材料电极,包括金属电极、碳电极。
8.如权利要求1所述的逆光电化学电池,其特征在于:工作过程为:与传统光电化学电池的工作过程、原理相反,逆光电化学电池工作时,将p型半导体光阳极施加正向电压,即将p型半导体光阳极与外电源的正极相连,使电解液中的电子向电极移动,在电极与电解液界面处发生氧化反应,产生氧气;在光照下,p型半导体的费米能级向下降低,产生光电压,此光电压的值我们称为Vp,即当向p型半导体光阳极施加正向电压使得阳极和阴极达到一定的电压差,光照下比暗态下可以少施加Vp的电压;同理,将n型半导体光阴极施加负向电压,即将n型半导体光阴极与外电源的负极相连,使电极中的电子向电解液移动,在电极与电解液界面处发生还原反应,产生氢气;在光照下,n型半导体的费米能级向上提升,产生光电压,此光电压的值我们称为Vn,即当向n型半导体光阳极施加负向电压使得阳极和阴极达到一定的电压差,光照下比暗态下可以少施加Vn的电压;当电池中阳极为p型半导体光阳极而阴极为n型半导体光阴极时,光照下少施加的电压可达(Vn+Vp)V。
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