[发明专利]形成多晶硅薄膜的方法以及形成薄膜晶体管的方法

权利要求书

1.一种形成多晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基底，该基底具有一上表面；

进行一加热处理；以及

进行一硅薄膜沉积工艺，用以直接在该基底的该上表面上形成一多晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该加热处理包括利用一加热源对该基底加热到高于摄氏450度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该加热处理包括利用一加热源对该基底加热到高于摄氏500度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该加热处理包括利用一加热源对该基底加热，其中该加热源包括光加热源、离子束加热源、电子束加热源、炉管加热源或灯丝加热源。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该硅薄膜沉积工艺包括利用一反应气体用以在该基底的该上表面上形成该多晶硅薄膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该反应气体包括硅烷或二氯硅烷。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该加热处理包括：

利用一主加热源对该基底加热到一第一温度；以及

利用一辅助加热源对该反应气体加热到一第二温度。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，该第二温度是高于该第一温度。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，该第一温度是高于摄氏200度，且该第二温度是高于摄氏450度。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，该第二温度是高于摄氏500度。

11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，该第一温度是高于摄氏150度，且该第二温度是高于摄氏250度。

12.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，该辅助加热源包括光加热源、离子束加热源、电子束加热源、炉管加热源或灯丝加热源。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该加热处理包括：

利用一主加热源对该基底加热到一第一温度；以及

利用一辅助加热源对该基底的该上表面加热到一第二温度。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，该第二温度是高于该第一温度。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，该第一温度是高于摄氏200度，且该第二温度是高于摄氏450度。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，该第二温度是高于摄氏500度。

17.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，该第一温度是高于摄氏150度，且该第二温度是高于摄氏250度。

18.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，该辅助加热源包括光加热源、离子束加热源、电子束加热源、炉管加热源或灯丝加热源。

19.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该硅薄膜沉积工艺包括一化学气相沉积工艺或一物理气相沉积工艺。

20.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该基底包括一基底本体以及一加热辅助层，且该加热辅助层是设置在该基底本体上。

21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，该加热辅助层包括石墨、氧化铬或钼。

22.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该基底包括一基底本体以及一晶格匹配层，且该晶格匹配层是设置在该基底本体上。

23.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，该加热处理包括利用一加热源对该基底加热到高于摄氏250度。

24.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，该晶格匹配层包括具有晶格方向性的高分子材料、非晶硅材料或金属氧化物材料。

25.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，对该基底加热的方式包括利用一主加热源对该基底加热到一第一温度，且该第一温度是介在摄氏150度到摄氏250度之间。