[发明专利]金红石相二氧化钒薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201310089152.9 | 申请日： | 2013-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104060247A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 高彦峰;周家东;罗宏杰;曹传祥;金平实 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C20/08 | 分类号： | C23C20/08;C30B7/10;C30B29/16 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金红石 氧化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种金红石相二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括：将洗净的衬底直接浸入到含四价钒的前驱生长液中并转入高压反应釜内，在260～400℃温度下进行水热反应0.1～96小时，通过衬底的诱导作用在衬底上外延生长金红石相二氧化钒薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述水热反应的温度为270～350℃，时间为3～30小时。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述水热反应的温度为270～300℃，时间为10～20小时。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的制备方法，其特征在于，通过所述水热反应和衬底的诱导作用直接在衬底上外延生长金红石相二氧化钒薄膜而无需退火处理。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述衬底包括FTO透明导电膜、ITO透明导电膜、NTO透明导电膜、以及包含SnO2、TiO2和/或ZrO2的氧化物薄膜。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述含四价钒的前驱生长液是三价钒和氧化剂的混合溶液、四价钒溶液、或四价钒溶液与碱性试剂反应得到的悬浊液。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述含四价钒的前驱生长液是三价钒和氧化剂的混合溶液，其中，所述三价钒与氧化剂的摩尔比为1：2到2：1。
8.一种由权利要求1～7中任一项所述的制备方法制备而成的金红石相二氧化钒薄膜，其特征在于，所述金红石相二氧化钒是棒状和/或颗粒状。
9.根据权利要求8所述的金红石相二氧化钒薄膜，其特征在于，所述金红石相二氧化钒薄膜是纳米阵列薄膜。
10.根据权利要求8或9所述的金红石相二氧化钒薄膜，其特征在于，所述金红石相二氧化钒薄膜的高低温红外透过率差值大于3%。
11.根据权利要求10所述的金红石相二氧化钒薄膜，其特征在于，所述金红石相二氧化钒薄膜的高低温红外透过率差值大于5%。
12.根据权利要求11所述的金红石相二氧化钒薄膜，其特征在于，所述金红石相二氧化钒薄膜的高低温红外透过率差值大于10%。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C20-00 通过固态覆层化合物抑或覆层形成化合物悬浮液分解且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C20-02 .镀金属材料
C23C20-06 .镀金属材料以外的无机材料
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C23C20-04 ..镀金属
