[发明专利]显示装置及其制造方法、修理显示装置的方法及电子设备有效
申请号: | 201310089632.5 | 申请日: | 2013-03-20 |
公开(公告)号: | CN103367390B | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | 上杉昌尚;山田二郎;师冈光雄;广升泰信 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 修理 电子设备 | ||
1.一种显示装置,包括布置成二维矩阵的发光元件,
其中该发光元件包括设置在基板上的驱动电路、覆盖该驱动电路和该基板的第一绝缘层、发光部分以及第二绝缘层,在该发光部分中层叠有第一电极、具有发光层的有机层和第二电极,该第二绝缘层覆盖该第一电极,
该发光元件还包括辅助电极层和形成在该基板上的接触部分,
该第一电极形成在该第一绝缘层上并且通过第一电极延伸部分电连接到该驱动电路,该第一电极延伸部分形成在该第一绝缘层中设置的第一开口上,
该有机层至少形成在该第一电极的于第二开口的底部暴露的部分上,该第二开口形成在该第二绝缘层上,
第三开口形成于该第一绝缘层上,在该第三开口的底部暴露该接触部分,
第四开口至少形成于该第二绝缘层上,在该第四开口的底部暴露该接触部分,
该辅助电极层形成为远离该第一电极,并且位于从该第一绝缘层的上部区域到该第三开口的内部区域的范围上,并且
该第二电极形成在从该有机层的上部区域到该第二绝缘层的上部区域再到该第四开口的内部区域的范围上,
其中该接触部分具有从该基板侧至少依次层叠第一接触层和第二接触层的结构,并且
形成该第二接触层的材料的蚀刻速率低于形成该第一电极的材料的蚀刻速率。
2.根据权利要求1所述的显示装置,
其中形成该第二接触层的材料是难以氧化的金属或者是含有该难以氧化的金属的材料。
3.根据权利要求1所述的显示装置,
其中形成该第一接触层的材料是导电率高于形成该第二接触层的材料的金属或者是含有具有较高导电率的该金属的材料。
4.根据权利要求1所述的显示装置,
其中该驱动电路包括栅极电极、栅极绝缘层、沟道形成区域和源极/漏极电极,并且
该源极/漏极电极与该接触部分具有相同的构造。
5.根据权利要求1所述的显示装置,
其中形成该辅助电极层的材料与形成该第一电极的材料相同。
6.根据权利要求1所述的显示装置,
其中该辅助电极层的在该第一绝缘层上的部分以远离形成在该第一绝缘层上的该第一电极的状态来围绕该第一电极。
7.根据权利要求1所述的显示装置,
其中通过形成在该基板上的该接触部分和从该接触部分延伸的配线层,该辅助配线层的位于该显示装置的显示区域边缘的部分连接到设置在该显示装置的周边部分中的电源。
8.一种电子设备,包括:
根据权利要求1所述的显示装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的