[发明专利]辐射存储荧光体及其应用

权利要求书

1.一种光激励存储荧光体，该光激励存储荧光体包括至少一种+3价氧化态稀土元素，其中一旦受到X射线、γ射线或UV辐射，则+3价氧化态降阶为+2价氧化态。

2.根据权利要求1的光激励存储荧光体，其中所述稀土元素是从包括铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥的组中选取的，优选所述稀土元素是从包括钐、镝、铕、和钆的组中选取的，并且最优选所述稀土元素是钐。

3.根据前述任何一项权利要求的光激励存储荧光体，其中所述荧光体包括至少一种卤素元素，优选所述卤素元素是从包括氟、氯、碘和溴的组中选取的，更优选所述卤素元素是溴或氯，并且最优选所述卤素元素是氯。

4.根据前述任何一项权利要求的光激励存储荧光体，其中所述荧光体还包括碱土金属，优选所述碱土金属是从包括钡、钙和锶的组中选取的，更优选所述碱土金属是钡或锶，并且最优选所述碱土金属是钡。

5.根据前述任何一项权利要求的光激励存储荧光体，其中所述光激励存储荧光体由以下公式（A）表示：

MeX¹X²:RE³⁺，其中Me表示金属离子，

X¹和X²是相互独立地从包括氯、氟、溴和碘的组中选取的卤原子；以及

RE是稀土元素。

6.根据权利要求5的光激励存储荧光体，其中X¹和X²彼此不相同，并且优选所述X¹是F。

7.根据权利要求5或6任何一项的光激励存储荧光体，其中所述由公式（A）表示的光激励存储荧光体中的金属离子Me是二价金属离子，优选所述金属离子是碱土金属或第Ⅱ族金属离子，更优选所述金属离子是碱土金属离子，并且最优选所述碱土金属离子是锶、钡或钙。

8.根据前述任何一项权利要求的光激励存储荧光体，其中所述光激励存储荧光体是碱土金属氟卤化物，该碱土金属氟卤化物由三价氧化态稀土金属激活，优选所述碱土金属氟卤化物由从包括钐、铕、镝和钆的组中选取的稀土金属激活，更优选所述稀土金属是钐或镝，并且最优选所述稀土金属是钐。

9.根据前述任何一项权利要求的光激励存储荧光体，其中所述光激励存储荧光体由从包括BaFCl:Sm³⁺、CaFCl:Sm³⁺和SrFCl:Sm³⁺的组中选取的公式表示。

10.根据前述任何一项权利要求的光激励存储荧光体，其中所述光激励存储荧光体具有四面体或同形晶体结构，优选所述四面体晶体结构具有空间群P4/nmm(D⁷_4h)。

11.根据前述任何一项权利要求的光激励存储荧光体，包括晶粒尺寸在约10到约1000nm之间的光激励存储荧光体，优选所述光激励存储荧光体的晶粒尺寸在约100到约300nm之间，并且更优选所述光激励存储荧光体的晶粒尺寸在约10到约200nm之间。

12.一种辐射图像存储面板、辐射存储设备或辐射存储放射量测定器，其包括根据权利要求1至11中任何一项的光激励存储荧光体。

13.一种用于制备光激励存储荧光体的方法，该方法包括混合第一溶液和第二溶液以形成反应混和物，其中所述第一溶液包括金属卤化物和稀土卤化物，其中这些卤化物是独立地从包括氯化物、溴化物、碘化物的组中选取的，以及所述第二溶液包括氟化物类。

14.一种记录和再现图像的方法，该方法包括以下步骤：

（i）将包括根据本发明权利要求1至11中任何一项的光激励存储荧光体的辐射图像存储面板曝光在穿过目标或从目标辐射的辐射下；

（ii）将辐射图像存储面板曝光于波长在光激励存储荧光体的激发光波长范围内的电磁波下；以及

（iii）检测发射光。

15.根据权利要求14的方法，其中所述激发光的波长比所述发射光的波长短。