[发明专利]适用于IGBT薄型硅片的背面杂质激活方法

权利要求书

1.适用于IGBT薄型硅片的背面杂质激活方法，其特征在于，步骤包括：

1）将IGBT薄型硅片传送入快速灯退火腔室，并使硅片背面注入掺杂区朝向加热灯的照射面；

2）调整加热灯阵列控制程式，使加热灯只能单向照射硅片背面；

3）设置加热灯的输出功率，然后开启加热灯，使硅片背面迅速升温；

4）当硅片温度达到设定的退火温度后，关闭加热灯，保温1～2秒，然后急速冷却硅片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3），对各加热灯设置不同的输出功率，使硅片各区域温度均匀。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4），所述退火温度为600～630℃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4），采用大流量氮气冷却硅片。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤4），所述氮气的流量为20～40L/min。