[发明专利]像素电路及其驱动方法、阵列基板、显示装置无效

专利信息
申请号: 201310090818.2 申请日: 2013-03-20
公开(公告)号: CN103208254A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 曾勉;尹傛俊;涂志中;金在光 申请(专利权)人: 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32;G09G3/20
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 柴亮;张天舒
地址: 230011 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 像素 电路 及其 驱动 方法 阵列 显示装置
【权利要求书】:

1.一种像素电路,包括:第一开关晶体管、存储电容、驱动晶体管、发光器件以及阈值补偿电路,其特征在于,

所述阈值补偿电路包括:第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管以及耦合电容;

所述第一开关晶体管的栅极接第一扫描信号,所述第一开关晶体管的源极接数据信号输入端,所述第一开关晶体管的漏极接存储电容第一端、耦合电容的第一端以及第二开关晶体管的源极;

所述存储电容的第二端接电源电压同时接所述驱动晶体管的源极;

所述第二开关晶体管的栅极接第二扫描信号同时接所述第三开关晶体管的栅极,所述第二开关晶体管的漏极接电源负极端;

所述第三开关晶体管的源极接所述驱动晶体管的栅极,所述第三开关晶体管的漏极接所述驱动晶体管的漏极同时接所述第四开关晶体管的源极;

所述第四开关晶体管的栅极接第一控制信号,所述第四开关晶体管的漏极接所述发光器件;

所述耦合电容的第二端与所述驱动晶体管的栅极相连。

2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管和所述驱动晶体管为N型薄膜晶体管。

3.根据权利要求1或2所述的像素电路,其特征在于,所述发光器件为有机发光二极管。

4.如根据权利要求1至3中任一所述像素电路的驱动方法,其特征在于,包括:

预充阶段:选通所述第二扫描信号以及所述电源电压,所述第二开关晶体管和第三开关晶体管开启,所述耦合电容储存的电荷通过第二开关晶体管进行释放;

补偿阶段:选通所述第一扫描信号,所述第一开关晶体管开启,关断第二扫描信号,所述数据信号输入所述耦合电容的第一端和存储电容的第一端,所述耦合电容的第二端的电压升高并开启所述驱动薄膜晶体管;

发光阶段:选通所述第一控制信号,所述第四开关晶体管开启,所述存储电容保持所述耦合电容第一端的电压,所述驱动晶体管继续保持导通状态,驱动所述发光器件发光。

5.一种阵列基板,其特征在于,包括如权利要求1至3中所述的任意一种像素电路。

6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求5所述的阵列基板。

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