[发明专利]零光程差自参考干涉对准系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成电路装备制造领域，尤其涉及一种用于光刻设备的零光程差自参考干涉对准系统。

背景技术

在半导体IC集成电路制造过程中，一个完整的芯片通常需要经过多次光刻曝光才能制作完成。除了第一次光刻外，其余层次的光刻在曝光前都要将该层次的图形与以前层次曝光留下的图形进行精确定位，这样才能保证每一层图形之间有正确的相对位置，即套刻精度。通常情况下，套刻精度为光刻机分辨率指标的1/3～1/5，对于100纳米的光刻机而言，套刻精度指标要求小于35nm。套刻精度是投影光刻机的主要技术指标之一，而掩模与硅片之间的对准精度是影响套刻精度的关键因素。当特征尺寸CD要求更小时，对套刻精度的要求以及由此产生的对准精度的要求变得更加严格，如90nm的CD尺寸要求10nm或更小的对准精度。

掩模与硅片之间的对准可采用掩模（同轴）对准＋硅片（离轴）对准的方式，即以工件台基准板标记为桥梁，建立掩模标记和硅片标记之间的位置关系，如图1所示。对准的基本过程为：首先通过同轴对准系统9（即掩模对准系统），实现掩模标记3与位于运动台5上的基准板标记7之间的对准，然后利用离轴对准系统10（硅片对准系统），完成硅片对准标记6与工件台基准板标记7之间的对准（通过两次对准实现），进而间接实现硅片对准标记6与掩模对准标记3之间对准，建立二者之间的位置坐标关系。

专利EP1148390、US00US7564534和CN03133004.5给出了一种自参考干涉对准系统，如图2所示。该对准系统通过像旋转装置，实现对准标记衍射波面的分裂，以及分裂后两波面相对180°的旋转重叠干涉，然后利用光强信号探测器，在光瞳面处探测干涉后的对准信号，通过信号分析器确定标记的对准位置。该对准系统要求对准标记是180°旋转对称。像旋转装置是该对准系统最核心的装置，用于标记像的分裂与旋转和叠加。在该发明中，像旋转装置通过自参考干涉仪实现。

专利US00US7564534、CN03133004.5、CN201210117917.0和CN201210091145.8给出了该对准系统的具体实现结构，如图3所示。自参考干涉对准系统包括：激光光源模块，用于提供所需的照明光束；光学模块，用于将照明光束照射到对准标记上，形成光学信号；电子采集模块，用于将所述光学信号进行处理，获得光强信号；以及软件模块，用于对光强信号进行处理，进一步获得对准位置。该技术方案中每一组件的作用可参考在先专利，此处作为公知技术引入。但是，技术对分裂后两波面通过走不同光路相互旋转干涉，各种色光，不同级次之间消不同光路造成的光程差通过补偿器实现，但对于宽光谱，补偿器补偿额度有限（1um左右），而实际加工装配带来的光程差远高于10um，且该技术方案中0级光未被过滤掉，当分裂后两波面光程差较大时，会造成0级光泄露，从而降低信号对比度。如果能让分裂后两波面走相同的光路，并且实现必要的旋转，从而实现零光程差干涉，消除各色光，各级次光之间的初始相位差，从而提高对准精度和对比度。

发明内容

为了克服现有技术中存在的缺陷，本发明提出一种零光程差自参考干涉对准系统，包括：激光光源模块，用于提供所需的照明光束；光学模块，用于将照明光束照射到对准标记上，形成光学信号；电子采集模块，用于将所述光学信号进行处理，获得光强信号；软件模块，用于对光强信号进行处理，进一步获得对准位置；其特征在于：所述光学模块包括一等光程回路，使不同偏振态的正负级次光经过相同的光程后进行干涉。

较优地，所述等光程回路包括一三面体棱镜和一五角棱镜，光束经过三面体棱镜后物像关系旋转180度，偏振方向不改变；。

其中，光束在所述等光程回路中在三面体棱镜之外反射奇数次，其中五角棱镜反射两次。

其中，所述激光光源模块还包括波长选择器，将宽光谱光源形成特定单色光。

其中，所述光学模块还包括一区域反射镜，将高级光通光区域镀反射膜，零级光区域镀增透膜形成高反零通的反射镜。

其中，所述光学模块还包括一光隔离器，隔离反射回的零级光。

其中，所述电子采集模块中光信号的传输使用多模光纤。

本发明在现有技术基础上进行了改进，可以实现各色光、各级次光零光程差干涉对准，从而提高对准精度。

附图说明

关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。

图1是光刻对准系统示意图；

图2是现有技术中的自参考干涉对准系统示意图；

图3是现有技术中的自参考干涉对准系统结构图；