[发明专利]实现电机快速能耗制动的电路

权利要求书

1.一种实现电机快速能耗制动的电路，其特征在于，包括储能装置，能耗电路以及逆变装置，其中储能装置分别与直流电源的输出端和能耗电路的输入端相连，能耗电路的输出端与逆变装置的输入端相连；

所述储能电路为大电容储能，包括第一电解电容，所述第一电解电容正极与直流电源的输入正极相连，其负极与直流电源的输入负极相连；

所述能耗电路为电阻电容能耗电路，包括一个MOSFET、第二电解电容、两个电阻和一个IGBT，其中，所述MOSFET的漏极与直流电源的输入正极相连，其源极与所述的第二节点相连；所述第二电解电容与第一电阻并联，两端分别连接第二节点与第三节点；串联第二电阻两端分别连接第三节点与第四节点；所述IGBT的集电极与第四节点相连，发射极与第五节点相连；

其中，所述第二节点为所述MOSFET的源极与所述第二电解电容的连接点，所述第三节点为所述第二电解电容与所述第二电阻的连接点，所述第四节点为所述第二电阻与所述IGBT的连接点，所述第五节点为所述直流电源的输入负极。

2.根据权利要求1所述的实现电机快速能耗制动的电路，其特征在于，所述MOSFET与IGBT的门极接受PWM脉冲控制信号，MOSFET导通时，IGBT关断，逆变装置正常运行，带动电机工作；MOSFET断态时，IGBT采用一定占空比PWM进行斩波，通过第二电阻给第二电解电容充电，第二电解电容充电的容值足够大，同时第二电解电容向第一电阻放电，当IGBT的占空比小时，实现常规能耗制动，当IGBT的占空比大时，实现快速能耗制，当制动能量相当高时，与MOSFET反并联的二极管导通，将多余能量转移到第一电解电容，限制直流电压升高，起到制动作用，同时防止储能装置的能量流向耗能电路，影响制动快速性；此外，在IGBT关断时间，第二电解电容通过第一电阻放电，储能复位，不影响下一次制动过程。

3.根据权利要求1或2所述的实现电机快速能耗制动的电路，其特征在于，所述第一电解电容的电容值为680μF，耐压为400V。

4.根据权利要求3所述的实现电机快速能耗制动的电路，其特征在于，所述第一电阻的电阻值为68Ω，功率为50W；第二电阻的电阻值为33Ω，功率为50W。

5.根据权利要求3所述的实现电机快速能耗制动的电路，其特征在于，所述IGBT的参数为耐流25A/100°C，耐压为600V；MOSFET的参数为耐流20A/100°C，耐压为500V。

6.根据权利要求3所述的实现电机快速能耗制动的电路，其特征在于，所述第二电解电容的电容值为470μF，耐压为100V。

7.根据权利要求1所述的实现电机快速能耗制动的电路，其特征在于，所述逆变装置为相应功率等级的电压源逆变器。