[发明专利]闪存存储器的验证装置

说明书

技术领域

本发明是有关于一种验证装置，且特别是有关于一种闪存存储器的验证装置。

背景技术

闪存存储器(Flash Memory)元件由于具有可多次进行数据的存入、读取、擦除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点，所以已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种非易失性存储器元件。

一般而言，制造商都会在出货前进行闪存存储器的测试及验证，藉以滤除不良品，以确保所产出的闪存存储器的品质。在实际的应用中，由于闪存存储器可广泛地适用于不同的电子装置以执行数据存取的功能，其中每一种电子装置的操作规格与电路组态各有差异，而所述的操作规格与电路组态的差异皆可能会影响对应的闪存存储器的读取、写入或擦除操作。换言之，闪存存储器在配置于不同的电子装置中时，皆可能会有特性偏移的状况发生，而所述的特性偏移则可能造成闪存存储器的操作失效。

然而，在现行的闪存存储器的测试与验证机制中，验证装置仅能就闪存存储器的预设规格进行验证，而无法验证闪存存储器位于不同特性下的操作是否通过。再者，由于电子装置的种类与规格繁多，制造商亦难以针对闪存存储器配置于每一种电子装置中的状态进行验证及测试。

发明内容

本发明提供一种闪存存储器的验证装置，其可调整闪存存储器的电源启动重置（power on reset）特性，并据以对闪存存储器进行验证。

本发明提出一种闪存存储器的验证装置，包括测试控制器以及特性调整电路。测试控制器提供电源电压，并且用以验证闪存存储器的读写操作。特性调整电路耦接于测试控制器与闪存存储器之间，受控于测试控制器而决定是否致能，并且于致能时将电源电压提供至闪存存储器。其中，测试控制器于电源准备期间后致能特性调整电路，以利用电源电压启动闪存存储器，并据以对闪存存储器进行验证。

在本发明一实施例中，闪存存储器的工作电压在启动期间内从低电平逐渐提升至工作电平，测试控制器于启动期间内的多个时间点依序发出读取指令，以验证闪存存储器于启动期间内的第一次读取通过的时间点。

在本发明一实施例中，闪存存储器的工作电压在启动期间内从低电平逐渐提升至工作电平，测试控制器于启动期间内的多个时间点依序发出写入指令，以验证闪存存储器于启动期间内的第一次写入通过的时间点。

在本发明一实施例中，闪存存储器具有电源端，且特性调整电路包括供电开关以及第一电阻。供电开关的第一端耦接测试控制器以接收电源电压，供电开关的第二端耦接电源端，且供电开关的控制端接收测试控制器的第一控制信号，其中供电开关依据第一控制信号而导通或截止。第一电阻的一端耦接供电开关的第二端与电源端，且第一电阻的另一端耦接接地电压。

在本发明一实施例中，测试控制器于闪存存储器的工作电压提升至工作电平后截止供电开关，使得工作电压逐渐降低，并且当工作电压降至第一电平时，测试控制器重新导通供电开关来启动闪存存储器，并且发出读取指令或写入指令以验证闪存存储器从不同的第一电平启动时的读写操作。

在本发明一实施例中，特性调整电路还包括电容单元。电容单元耦接供电开关的第二端与电源端，其中电容单元经控制而调整电源端的等效电容，藉以控制闪存存储器的充电速率，测试控制器发出读取指令或写入指令以验证闪存存储器在不同的充电速率下的读写操作。

在本发明一实施例中，电容单元包括多个电容以及多个开关。所述多个电容分别具有不同的电容值。所述多个开关的一端分别耦接所述多个电容，且所述多个开关的另一端耦接闪存存储器，其中该电容单元经控制而导通所述多个开关其中之一，以将对应的电容耦合至闪存存储器。

在本发明一实施例中，电容单元包括可变电容，其中电容单元经控制而调整可变电容的电容值。

在本发明一实施例中，测试控制器更用以验证闪存存储器的擦除操作，且验证装置还包括放电电路。放电电路耦接特性调整电路与闪存存储器。放电电路受控于测试控制器而决定是否致能，并且于致能时提供放电路径。测试控制器发出擦除指令以使闪存存储器进行擦除操作，并且在闪存存储器进行擦除操作的擦除期间内禁能特性调整电路及致能放电电路，使得闪存存储器经由放电路径进行放电，藉以检查闪存存储器是否发生过度擦除（over-erase）。

在本发明一实施例中，闪存存储器具有电源端，放电电路包括放电开关以及第二电阻。放电开关的第一端耦接电源端，且放电开关的控制端接收测试控制器的第二控制信号，其中放电开关依据第二控制信号而导通或截止。第二电阻的一端耦接放电开关的第二端，且第二电组的另一端耦接接地电压。