[发明专利]低频脉冲电磁铸造方法

权利要求书

1.一种低频脉冲电磁铸造方法，其特征在于包含：

S1，在中间浇注装置的铸机上安装结晶器；

S2，在所述结晶器上安装一个与低频脉冲电源连接的励磁线圈；

S3，当开浇时，金属熔体通过中间浇注装置注入结晶器内，铸机起步升速，引锭装置将铸坯拉出结晶器，同时开启低频脉冲电源，脉冲电流通过励磁线圈产生低频强磁场强度的低频脉冲磁场，该低频脉冲磁场作用于金属熔体上起搅拌和磁压作用；

S4，当终浇时，铸机升速降低，同时切闭低频脉冲电源。

2.如权利要求1所述的低频脉冲电磁铸造方法，其特征在于：

所述结晶器是切缝水冷式结晶器，切缝处插入云母或者陶瓷，并采用密封胶密封。

3.如权利要求1所述的低频脉冲电磁铸造方法，其特征在于：

所述励磁线圈安装在结晶器金属熔体的弯月面处。

4.如权利要求1所述的低频脉冲电磁铸造方法，其特征在于：

所述励磁线圈连接低频脉冲电源组成了一个低频脉冲磁场发生电路，其中，低频脉冲电源是一个电容储能式低频脉冲电源，该电源的输出端与所述励磁线圈连接后产生所述低频强磁场强度的低频脉冲磁场。

5.如权利要求4所述的低频脉冲电磁铸造方法，其特征在于：

所述低频范围是10¹-10³Hz。

6.如权利要求4所述的低频脉冲电磁铸造方法，其特征在于：

所述强磁场强度是磁场强度>1T。

7.如权利要求4所述的低频脉冲电磁铸造方法，其特征在于：

所述低频脉冲磁场的脉冲电流波形为正弦波，脉冲放电频率f_T为1～25Hz，脉冲波形频率f_w为10～50Hz，脉冲峰值电压U_m为100～500V。