[发明专利]一种白钨矿型微波介质陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种白钨矿型微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述白钨矿型微波介质陶瓷材料的结构表达式为：Bi(V_1-xIn_x/3Mo_2x/3)MoO₄,0.06≤x≤0.12。

2.如权利要求1所述的一种白钨矿型微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述0.08≤x≤0.10。

3.如权利要求1所述的一种白钨矿型微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述白钨矿型微波介质陶瓷材料的微波介电常数ε_r为70～75，品质因数Q×f值为9230GHz～10110GHz，谐振频率温度系数τ_f为-210ppm/°C～+135ppm/°C。

4.一种白钨矿型微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将原料V₂O₅、In₂O₃、MoO₃和Bi₂O₃按通式Bi(V_1-xIn_x/3Mo_2x/3)MoO₄中的化学计量比进行配料，0.06≤x≤0.12；

2）将步骤1）中的配料混合，球磨3～6个小时，在100°C～200°C下烘干，过筛后压制得块状体；

3）将块状体经650°C～750°C预烧，并保温4～6小时，制得样品烧块；

4）将样品烧块粉碎，并经过5～6个小时的二次球磨，在100°C～200°C下烘干、造粒，造粒后过筛，制得瓷料粉末；

5）将瓷料粉末压制成型，在780°C～840°C下烧结2～3个小时成瓷，制得白钨矿型微波介质陶瓷材料。

5.如权利要求4所述的白钨矿型微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述0.08≤x≤0.10。

6.如权利要求4所述的白钨矿型微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述白钨矿型微波介质陶瓷材料的微波介电常数ε_r为70～75，品质因数Q×f值为9230GHz～10110GHz，谐振频率温度系数τ_f为-210ppm/°C～+135ppm/°C。

7.如权利要求4所述的白钨矿型微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤2）中过筛200目后压制得块状体。

8.如权利要求4所述的白钨矿型微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤4）中造粒后经60目与120目筛网双层过筛。