[发明专利]一种芯片表面形貌仿真的方法及装置

权利要求书

1.一种芯片表面形貌仿真的方法，其特征在于，包括：

确定与芯片的连接线宽相关的研磨垫有效特征粗糙参数；

根据所述有效特征参数确定研磨垫粗糙峰的修正指数分布；

根据所述指数分布及赫兹弹性接触理论建立所述研磨垫与所述芯片的接触压力和研磨垫形变量间的第一关系式；

根据接触力学方程建立所述研磨垫与所述芯片的接触压力与所述研磨垫形变量间的第二关系式；

根据所述第一关系式以及所述第二关系式计算所述研磨垫与所述芯片的接触压力及形变量的关系式；

使用所述芯片的接触压力以及形变量的关系式进行芯片表面形貌仿真。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用所述芯片的接触压力以及形变量的关系式进行芯片表面形貌仿真包括：

根据芯片的接触力与形变量的关系式以及研磨去除选择比，计算研磨芯片的研磨去除率；

根据芯片的初始表面高度以及研磨去除率，确定芯片表面的实时形貌高度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一关系式以及所述第二关系式计算所述研磨垫与所述芯片的接触压力以及形变量的关系包括：

通过离散卷积-快速傅里叶变换的方法求解所述第一关系式以及第二关系式。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述修正指数分布建立所述研磨垫与所述芯片的接触压力和研磨垫形变量间的第一关系式包括：

根据所述修正的指数分布对GW模型进行重新推导，获得所述研磨垫与所述芯片的接触压力和研磨垫形变间的第一关系式。

5.一种芯片表面形貌仿真的装置，其特征在于，包括：

第一确定模块，用于确定与芯片的连接线宽相关的研磨垫有效特征粗糙参数；

第二确定模块，用于根据所述有效特征参数确定研磨垫粗糙峰的修正指数分布；

第一建立模块，用于根据所述指数分布及赫兹弹性接触理论建立所述研磨垫与所述芯片的接触压力和研磨垫形变量间的第一关系式；

第二建立模块，用于根据接触力学方程建立所述研磨垫与所述芯片的接触压力与所述研磨垫形变量间的第二关系式；

计算模块，用于根据所述第一关系式以及所述第二关系式计算所述研磨垫与所述芯片的接触压力以及形变量的关系式；

仿真模块，用于使用所述芯片的接触压力以及形变量的关系式进行芯片表面形貌仿真。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述仿真模块包括：

第二计算单元，用于根据芯片的接触力与形变量的关系式以及研磨去除选择比，计算研磨芯片的研磨去除率；

确定单元，用于根据芯片的初始表面高度以及研磨去除率，确定芯片表面的实时形貌高度。

7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述计算模块包括：

计算单元，用于通过离散卷积-快速傅里叶变换的方法求解所述第一关系式以及第二关系式。

8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第一建立模块包括：

推导单元，用于根据所述修正的指数分布对GW模型进行重新推导，获得所述研磨垫与所述芯片的接触压力和研磨垫形变间的第一关系式。