[发明专利]半导体装置及其制造方法和电子设备有效

专利信息
申请号: 201310092864.6 申请日: 2010-03-12
公开(公告)号: CN103247648A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 梅林拓;高桥洋;庄子礼二郎 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 王安武
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法 电子设备
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其具行背面照明的固态成像装置,所述半导体装置包括:

第一半导体层,其包括像素阵列,和

第二半导体层,其包括逻辑电路,

其中,

所述第一半导体层和所述第二半导体层结合在一起,并且

所述像素阵列和所述逻辑电路电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,包括

电连接所述像素阵列和所述逻辑电路的第一连接导体。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中

所述第一连接导体通过所述第一半导体层。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中

所述第一连接导体连接所述第一半导体层的最下层和所述第二半导体层的最上层。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,包括

连接到所述逻辑电路的第二连接导体。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中

所述第二连接导体的表面在所述第二半导体层的表面处暴露。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,包括

连接到所述第二连接导体的电极凸缘。

8.根据权利要求5所述的半导体装置,其中

所述第二连接导体连接所到述第二半导体层的最下层。

9.根据权利要求3所述的半导体装置,包括

第二连接导体,连接到所述第一半导体层中的所述第一连接导体。

10.根据权利要求9所述的半导体装置,其中

所述第一连接导体连接所述第二半导体层的最上层并且所述第二连接导体连接所述第一半导体层的最上层。

11.根据权利要求9所述的半导体装置,其中

所述第一连接导体或所述第二连接导体的表面在所述第一半导体层上暴露。

12.根据权利要求11所述的半导体装置,包括

连接到所述第一连接导体和所述第二连接导体的垫。

13.根据权利要求9所述的半导体装置,包括

连接到所述逻辑电路的第三连接导体,所述第三连接导体的表面在所述第二半导体层的表面处暴露。

14.根据权利要求13所述的半导体装置,包括

连接到所述第三连接导体的电极凸缘。

15.根据权利要求13所述的半导体装置,其中

所述第三连接导体连接到所述第二半导体层的最下层。

16.根据权利要求3所述的半导体装置,其中

所述第一连接导体的表面在所述第一半导体层的上侧处暴露。

17.根据权利要求16所述的半导体装置,包括

连接到所述第一连接导体的垫。

18.根据权利要求2所述的半导体装置,其中

所述第一连接导体位于布置所述像素阵列的像素区域的外侧。

19.根据权利要求1所述的半导体装置,其中

所述第一半导体层的厚度小于所述第二半导体层的厚度。

20.根据权利要求2所述的半导体装置,其中

所述第一连接导体在所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一者的结合表面处暴露。

21.根据权利要求1所述的半导体装置,其中

所述像素阵列包括光电二极管和传输晶体管、复位晶体管和放大晶体管中的至少一个;并且

所述逻辑电路包括信号处理电路。

22.根据权利要求2所述的半导体装置,其中

所述第一连接导体形成为使其通过所述第一半导体层并从所述第一半导体层的背侧向所述第二半导体层直线地延伸。

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